Учебник предназначен для учащихся 5 класса общеобразовательной средней школы и разработан в полном соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом основного общего образования по русскому языку.
Учебник ориентирован на реализацию разнообразных инновационных технологий в обучении, прежде всего диалоговых. Учебник содержит богатый и разнообразный теоретический материал по изучаемым разделам русского языка, изложенный полно, логично, доступно и проиллюстрированный значительным количеством примеров. В учебнике представлен практический материал, направленный на когнитивное осознание вопросов теории, на развитие творческих способностей пятиклассников, на формирование самостоятельности в анализе различных явлений русского языка, в частности путём исследовательской и проектной деятельности, и на подготовку к тестирование.
Книга известного американского специалиста М. Тинкхэма является лучшим в настоящее время учебником по физическим основам фундаментальной и прикладной сверхпроводимости. Последовательно рассмотрены свойства сверхпроводников, начиная с таких традиционных вопросов, как теория Бардина — Купера — Шриффера, теория Гинзбурга — Ландау, сверхпроводники I и II рода, и кончая такими современными проблемами, как эффект Джозефсона и его применения и флуктуационные эффекты.
Для студентов физических, радиоэлектронных и электротехнических специальностей, а также аспирантов, инженеров и научных работников, имеющих отношение к явлению сверхпроводимости.
Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул».)
Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известен нашим читателям-физикам по его оригинальным исследованиям и ряду книг, в том числе изданных и в русском переводе.
В данной книге охвачен широкий круг проблем теории твердого тела от классической динамики кристаллической решетки до современных проблем электронной теории. Подробно рассмотрены свойства диэлектриков, полупроводников и металлов. Большое внимание уделяется, в частности, классическим исследованиям, результаты которых полностью сохраняют актуальность и в настоящее время. Важной частью книги является обширная библиография основных оригинальных работ, монографий и учебников по всем разделам физики твердого тела.
По характеру и уровню изложения книга представляет особый интерес для физики твердого тела, предназначенной, с одной стороны, для преподавателей и студентов, а с другой — для научных работников — физиков, как экспериментаторов, так и теоретиков.
Явления сверхпроводимости и сверхтекучести, имеющие между собой много общего, привлекают внимание все более широкого круга специалистов — как теоретиков, так и практиков. В предлагаемой книге эти явления рассматриваются параллельно.
Не прибегая к сложным математическим расчетам, авторы дают свежее и яркое описание свойств сверхпроводников и сверхтекучего гелия.
Книга рассчитана на студентов-старшекурсников и аспирантов, изучающих физику низких температур; вместе с тем она представляет интерес для специалистов в этой области, а также для читателей-неспециалистов, желающих познакомиться с одним из наиболее важных направлений современной физики.
Данная монография посвящается электромагнитным процессам в веществе, при рассмотрении которых нельзя отвлечься от взаимного влияния окружающих атомов.
Рассмотренные в монографии вопросы в основном относятся к физике высоких энергий, хотя методы и идеи, изложенные в книге, применяются и для нерелятивистских частиц.
Рассмотрению конкретных вопросов предшествует изложение метода псевдофотонов.
Далее излагаются вопросы когерентного тормозного излучения и рождения электронно-позитронных пар в монокристаллах.
Подробно рассмотрен так называемый „эффект плотности“.
В монографии излагается теория переходного излучения на одной границе и для пластинки вещества.
Большое внимание уделяется рассмотрению вопросов электромагнитного излучения при движении заряженных частиц через произвольную неоднородную среду.
Приводится обзор экспериментальных результатов, относящихся к вопросам, изложенным в монографии.
Книга представляет интерес для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области физики высоких энергий, электромагнитных излучений и твердого тела.
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках.
Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов.
Книга рассчитана на физиков и инженеров, занимающихся полупроводниками.
Книга содержит систематическое изложение современных исследований по сверхпроводимости второго рода. Авторы отдельно рассматривают обратимые (первая часть) и необратимые (вторая часть) процессы.
Обратимые процессы рассматриваются в рамках феноменологической теории Гинзбурга — Ландау, которая в данном случае позволяет хорошо описать явления, происходящие в сверхпроводнике. Микроскопическая теория используется в гл. 5 и 6 в основном только для вывода уравнений и параметров теории Гинзбурга — Ландау из первых принципов. Для необратимых процессов часто еще не существует удовлетворительного теоретического описания, поэтому авторы прибегают к полуколичественному рассмотрению явлений.
Несмотря на то что в последние годы сверхпроводимость второго рода активно изучается, книг по этому вопросу мало. Поэтому данная монография представляет интерес для широкого круга научных работников — физиков и инженеров, занимающихся изучением и практическим применением сверхпроводимости.
В монографии обобщены результаты математического и физического моделирования процессов механики при получении кристаллических материалов рядом технологически значимых промышленных технологий (выращивание технически ценных монокристаллов из расплава для микроэлектроники и из солевых растворов для фотоники, термическое прессование и кристаллизация из порошков для получения термоэлектрических материалов).
Приводятся результаты исследования влияния основных управляющих воздействий на гидромеханику жидкой фазы (расплава и солевого раствора), включая управление вращением кристалла, тигля и различного рода мешалок, тепловой секционный нагрев стенок тигля, сложные конструкции кристаллизатора, применение магнитных полей и условия микрогравитации.
Рассмотрены пути, обеспечивающие оптимизацию конструктивных узлов и технологических параметров, управляющих процессами переноса тепла и массы в жидкой и твердой фазах, включая значения напряжений соотношением их амплитуд деформациях в твердой фазе.
Рассматриваются программные комплексы для математического моделирования, в том числе с использованием дистанционной работы.
Монография предназначена для специалистов в области технологии кристаллических материалов, механики, теоретической физики, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Книга представляет собой элементарно написанный учебник по формализму квантовополевой формы теории возмущений, развиваемой для многоэлектронных систем общего вида (представление вторичного квантования, операторы рождения и уничтожения, фейнмановские диаграммы, одно- и двухэлектронные функции Грина).
Этот формализм в книге излагается применительно к теории свободного электронного газа в металлах. В частности, в книге подробно обсуждаются теория Бома–Пайнса и теория Гелл-Мана–Бракнера корреляционной энергии основного состояния этого газа.
Книга написана ясно, с подробным и полным проведением промежуточных вычислений, обычно опускаемых другими авторами. Ее можно рекомендовать студентам младших и старших курсов и аспирантам физико-математических специальностей, а также всем тем, кто хотел бы более подробно познакомиться с этой интересной областью теоретической физики.
Автор книги Дж. Рейсленд — сотрудник физического факультета университета в Эссексе (Англия) — известен своими работами в области динамики решетки.
Автору удалось в доступной форме изложить принципиальные основы, методы и применения динамики решетки к широкому кругу вопросов физики кристаллов. Данная книга выгодно отличается от других, посвященных фононам, «физичностью» изложения даже в главах, наиболее насыщенных математическим формализмом.
Книга доступна не только теоретикам, но и экспериментаторам. Она будет полезна учащимся (студентам и аспирантам) и специалистам, уже работающим в различных областях физики твердого тела и ее приложений.
