Приведены результаты экспериментальных исследований и анализ динамики нагрева металлодиэлектрических структур с алюминиевыми проводящими пленками, осажденными методом магнетронного распыления на подложки из стекла, при воздействии мощных СВЧ-полей. Результаты моделирования механизма формирования неоднородной структуры металлизации и возникновения проводимости при росте плёнки подтвердили наблюдаемый температурный экстремум. Полученный максимум нагрева напылённых металлизированных покрытий обусловлен максимальным поглощением электромагнитной волны на усредненных толщинах 5 1 нм, что связано со структурой формирующейся плёнки и соответствующим ей механизмом проводимости.
Проведено численное моделирование оксидного солнечного элемента на основе p–n гетероперехода Cu2O/TiO2 для оптимизации его структуры и повышения эффективности преобразования энергии. Исследовано влияние толщин слоев, концентраций акцепторов и доноров в слоях Cu2O и TiO2, а также работы выхода из материала тыльного контакта на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Получено, что оптимальная толщина слоев Cu2O и TiO2 составляет 1,5 мкм и 100 нм соответственно. Показано, что для получения высокой эффективности солнечного элемента концентрация акцепторов в слое Cu2O должна составлять 1016 см-3, а концентрация доноров в слое TiO2 должна быть 1019 см-3. Получено, что работа выхода материала тыльного контакта должна быть не менее 4,9–5 эВ для достижения высоких значений эффективности. Наиболее подходящими материалами для контакта к Cu2O являются Ni, C и Cu. Для солнечного элемента на основе p–n гетероперехода Cu2O/TiO2 получена максимальная эффективность 10,21 % (плотность тока короткого замыкания 9,89 мА/см2, напряжение холостого хода 1,38 В, фактор заполнения 74,81 %). Результаты могут быть использованы при разработке и формировании гетероструктур недорогих оксидных солнечных элементов.
Тройной раствор теллурида-кадмия-ртути (КРТ, HgCdTe) один из немногих полупроводниковых материалов, используемый для конструирования фотодиодов с высокими параметрами. Проведен оценочный расчет параметров перспективной P+-ν()-N+-фотодиодной структуры на основе КРТ, предназначенной для построения матриц фоточувствительных элементов с малым темновым током. Уменьшение темнового тока достигается за счет использования усовершенствованной трехслойной архитектуры, состоящей из высоколегированных контактных слоев КРТ, между которыми располагается слаболегированный поглощающий слой, в котором подавляются процессы тепловой генерации-рекомбинации. Таким образом, в заданном спектральном диапазоне темновые токи ФЧЭ на основе трехслойной архитектуры КРТ уменьшаются до предела, задаваемого фоновым излучением и механизмом излучатель-ной рекомбинации, а при условии полного обеднения области поглощения – до значения, определяемого механизмом генерации-рекомбинации Шокли-Рида-Холла.
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBN, предназначенных для разработки на их основе инфракрасных (ИК) детекторов с пониженными темновыми токами для MWIR и LWIR спектральных областей. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследовано 7 типов МДП-структур. Показано, что измерения частотных зависимостей адмиттанса МДП-приборов позволяют точно определить дифференциальное сопротивление барьерной структуры. Установлено, что для одной из исследованных структур дифференциальное сопротивление определяется объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает существенного влияния на измеряемый адмиттанс. Показано, что в случае решения проблемы пассивации меза-структур возможно изготовление эффективных MWIR и LWIR nBn, NBN-детекторов на основе МЛЭ HgCdTe с высокими пороговыми параметрами.
Разработан компактный источник низкоэнергетических (до 30 кэВ) сильноточных (десятки кА) электронных пучков микросекундной длительности (2–4 мкс), который может быть использован в составе комбинированных многофункциональных установок научно-прикладного назначения, например, строящегося Сибирского кольцевого источника фотонов (СКИФ). Генерирование пучка осуществляется в диоде со взрывоэмиссионным катодом со встроенными в него 25-тью дуговыми источниками плаз-мы, инициируемых пробоем по поверхности диэлектрика. Использование дуговых источников плазмы позволяет инициировать взрывную эмиссию при относительно не-больших ускоряющих напряжениях (от 7 кВ). Это, в свою очередь, дает возможность регулировки плотности энергии пучка в широком диапазоне (от 1,5 до 10 Дж/см2). Транспортировка пучка от катода к коллектору на требуемое расстояние (2–3 см), осуществляется в магнитном поле, создаваемом одиночным кольцевым постоянным магнитом.
Представлены результаты модернизации ЭЦР ионного источника GISMO в ИПФ РАН с целью разработки на его основе протонного инжектора, который в будущем будет являться составляющей частью линейного ускорителя для компактного источника нейтронов DARIA. В разрабатываемой системе для удержания плазмы используется адаптированная открытая ловушка на постоянных магнитах (NdFeB). Протонный пучок извлекается из плазмы с помощью трехэлектродной системы экстракции. Формирование слабо расходящегося пучка достигается за счет использования магнитной линзы в виде соленоида. Оптимизация системы экстракции проводится с помощью численного моделирования. По ее результатам удалось спроектировать систему формирования протонного пучка, удовлетворяющего требованиям DARIA.
Учебное пособие содержит материал для выполнения лабораторного практикума по одноименной дисциплине. Приводятся примеры выполнения лабораторных работ: конфигурирование и программирование стенда и дополнительного программного обеспечения и оборудования, расчет ПИД-регулятора. Рассматриваются этапы реализации диспетчерской системы контроля и управления с использованием SСАDА Trace Mode.
Пособие предназначено для студентов направления 27.03.04 «Управление в технических системах» и представляет собой практическое руководство по выполнению лабораторных работ с использованием лабораторного стенда «Тепловой объект», подключенного к контроллеру Siemens Simatic S7-1200.
Изложены требования к объему, содержанию и графику выполнения выпускной квалификационной работы и преддипломной практики. Сформулированы требования к оформлению таких документов, как «Пояснительная записка», «Руководство системного программиста» и «Отчет по преддипломной практике». Предназначено для студентов очной формы обучения по направлению 09.04.04 «Программная инженерия», профилю «Разработка и внедрение информационно-аналитических систем» и «Машинное обучение и интеллектуальный анализ данных», для методической поддержки дисциплины «Научно-исследовательская работа», преддипломной практики и для подготовки к процедуре защиты выпускной квалификационной работы магистра.
Изложены требования к объему, содержанию и графику выполнения выпускной квалификационной работы и преддипломной практики. Сформулированы требования к оформлению таких документов, как «Пояснительная записка», «Руководство системного программиста» и «Отчет по преддипломной практике». Предназначено для студентов очной формы обучения по направлению 09.03.04 «Программная инженерия», профилю «Разработка программно-информационных систем», для методической поддержки дисциплины «Выпускная квалификационная работа», научно-исследовательской работы, преддипломной практики и для подготовки к процедуре защиты выпускной квалификационной работы.
Методическое пособие нацелено на эффективное освоение обучающимися одному из пяти языков программирования стандарта МЭК 61131-3. Крупнейшие лидеры ПЛК предлагают сегодня очень различные комплексы для программирования ПЛК с поддержкой МЭК-языков. Конъектура рынка предъявляет новые требования к выпускникам специальности «Управление в технических системах», которым необходимы знания микропроцессорных систем управления, SCADA систем, а также умения программирования ПЛК.В учебно-методическом пособии приведены подробные сведения о разработке программ на графическом языке Sequential Function Chart (SFC), который позволяет описать хронологическую последовательность различных действий в программе, а также рассматриваются несколько примеров разработки программ, присутствует задание для самостоятельной работы.