Леонид Исаакович Мандельштам родился 22 апреля (ст. ст.) 1879 г. в г. Могилёве на Днепре. Семья Леонида Исааковича отличалась большой одарённостью: из неё вышли выдающиеся учёные, врачи, писатели.
Отец Леонида Исааковича, Исаак Григорьевич Мандельштам, очень образованный врач и прекрасный практик, в своё время очень популярный на юге России врач-гинеколог, происходил из интеллигентной еврейской семьи.
Окончив казённое раввинское училище в г. Вильно, Исаак Григорьевич поступил в Медико-хирургическую академию в Петербурге (ныне Ленинградская Военно-медицинская академия). В качестве врача он принимал участие в войне 1877—1878 гг. с Турцией.
Поль Ланжевен — один из крупнейших физиков современности, выдающийся борец за науку, за демократию, за коммунизм. Он один из лучших представителей передовой зарубежной интеллигенции.
Жизнь и научная деятельность П. Ланжевена замечательно подтверждают правильность прогноза Ленина, сделанного им в его гениальном произведении «Материализм и эмпириокритицизм». Ленин предсказывал, что выход из кризиса физики, в который она впадает в условиях буржуазного общества, лишь один — переход от метафизическо-механистического материализма к диалектическому, то есть переход к мировоззрению марксизма-ленинизма, переход на сторону коммунизма.
П. Ланжевен совершил этот переход. К концу своей жизни он выступил сторонником диалектического материализма и встал в ряды коммунистической партии Франции. Это — одна из поучительных страниц жизни и научной биографии Ланжевена.
Другой поучительной стороной является история тех трудностей, которые пришлось на пути Ланжевена к диалектическому материализму.
В собрание трудов выдающегося советского физика академика Л. Д. Ландау вошли почти все его научные статьи, опубликованные в различное время на русском и иностранных языках. Часть работ публикуется на русском языке впервые.
Издание представляет значительный интерес для научных работников в области физики, преподавателей вузов, студентов университетов.
В собрание трудов выдающегося советского физика академика Л. Д. Ландау вошли почти все его научные статьи, опубликованные в различное время на русском и иностранных языках. Часть работ публикуется на русском языке впервые.
Издание представляет значительный интерес для научных работников в области физики, преподавателей вузов, студентов университетов.
Учебник Немецкий язык 1- год обучения для 5 класса от авторов О.А. Радченко, Г. Хебелер, Н.П. Стёпкин рекомендован Министерством просвещения Российской Федерации
Эта книга, написанная известным американским физиком Дэвидом Бомом, посвящена наиболее актуальным философским проблемам современной физики.
Основное внимание в ней уделяется выяснению той роли, которую играют причинность и случайность в физических закономерностях микромира. Этот вопрос рассматривается в самом широком плане и фактически решается Бомом на уровне более общей проблемы о возможных формах физических законов как микромира, так и макромира.
В отличие от более ранних исследований этих философско-физических проблем книга Бома отражает развернувшуюся в последние годы ожесточённую борьбу между сторонниками новых интерпретаций явлений микромира и защитниками ортодоксально истолкованной квантовой механики в духе принципа дополнительности.
Книга представляет не только развернутую критику философских и физических основ копенгагенской школы, но и ответ сторонника новой интерпретации квантовой теории на возражения приверженцев концепции дополнительности.
Книга является первой монографией в мировой литературе, посвященной приборам с переносом заряда (ППЗ), в частности приборам с зарядовой связью (ПЗС). Она дает полное представление о принципах работы ПЗС, основных физических процессах в этих приборах, способах построения различных устройств на ПЗС, их архитектуре и технологии изготовления. В ней дан подробный анализ применений ППЗ в качестве приемников изображения и в устройствах обработки аналоговой и цифровой информации.
Книга представляет интерес для исследователей, работающих в области полупроводниковой электроники, разработчиков полупроводниковых устройств, инженеров, создающих системы обработки и передачи информации, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Книга посвящена развитию технической базы систем переработки микроэлектронным интегральным схемам и их технологии. Показан путь, пройденный микроэлектроникой за 2 5 лет ее развития от создания схем малой степени интеграции до сверхбольших схем. Большое внимание уделено новейшим направлениям развития микроэлектроники и молекулярной электроники. Рассматриваются различные виды кремниевых интегральных схем, а также вопросы обеспечения их надежности и методы проектирования. Анализируются как достижения, так и нерешенные проблемы новых направлений микроэлектроники.
Книга содержит справочные таблицы физических величин, используемых при рентгеноспектральном анализе и работах по рентгеновской спектроскопии. Даны коэффициенты ослабления в интервале длин волн 0,1—250 А для основных линий всех элементов во всех поглощающих элементах, длины волн и энергии фотонов всех линий рентгеновского спектра для всех элементов, энергии, ширины и выходы флуоресценции уровней, сечения рассеяния, длины волн всех линий рентгеновского спектра в порядке
возрастания значений и соответствующие им углы дифракции и их синусы для многих кристаллов — анализаторов, функции интенсивности для энергий электррнов от 10 до 50 кэВ и углов скольжения их 60° и 90°, а также ряд других таблиц.
В третьем издании (второе вышло в 1970 г.) учебного пособия описаны экспериментальные и расчетные методики решения задач по рентгеноструктурному анализу, электронографии и электронной микроскопии, анализу дефектов кристаллического строения, качественному и количественному фазовому анализу, текстурному анализу и спектроскопии, анализу пленочных материалов с учетом новых методов структурного анализа н новых областей его применения. Приведены алгоритмы выполнения работ с использованием ЭВМ. Пособие снабжено большим
справочным материалом, необходимым для решения металловедческих задач.
Предназначено для студентов вузов, обучающихся по направлению «Материаловедение н технология новых материалов», а также рекомендуется для студентов металлургических и машиностроительных вузов, технических и технологических университетов, изучающих материаловедение и технологию материалов, физику металлов, обработку металлов давлением и др.