SCI Библиотека

В статье рассмотрена локальная задача определения напряженно-деформированного состояния (НДС) конструкции с развитием межслоевого повреждения. Представлен вариант с возможностью применения в системах мониторинга программной реализации математического аппарата для моделирования роста трещины, выявлены эффекты, характеризующие поведение материала. В результате исследования на основе численного моделирования представлено изменение параметра трещиностойкости в зависимости от длины трещины для термопластичного и реактопластичного связующего.

Исследовано влияние УФ-излучения на радиационную долговечность некоторых полимеров при различных условиях испытания. Изучена кинетика роста трещин образцах из пленок диацетилцеллюлозы как при наличии УФ-облучения, так и без него. Предложен закон сложения скоростей радиационного vj и термофлуктуационного v разрушения в условиях фотомеханической деструкции.

В представленной работе приводятся результаты исследований люминесцентных свойств поверхности сапфира покрытой нанокластерами золота. В качестве метода возбуждения люминесценции в работе был использован поток быстрых электронов с ускоряющим напряжением 40 кВ. Показано, что в ультрафиолетовой области спектра катодолюминесценции чистого сапфира при малых ускоряющих напряжениях (40 кВ) свечение практически отсутствует. После нанесения покрытия золота свечение в ультрафиолетовой области усиливается за счет интенсивной генерации вакансий кислорода в области контакта золота с сапфиром. Показано, что F+-полоса люминесценции при возбуждении потоком быстрых электронов является в сапфире основной, а F-полоса подавлена. Продемонстрировано плазмонное усиление интенсивности люминесценции, как в ультрафиолетовой, так и красной области спектра при нанесении нанокластеров золота. При фокусировке пучка электронов обнаружен эффект усиления люминесценции в ультрафиолетовой области и температурного гашения в красной области спектра. Усиление интенсивности люминесценции F+- центров связано с генерацией новых вакансий кислорода и перезарядкой старых.

Исследованиями механизмов переноса тока в pSi-nSi1-xSnx структур в интервале температур 293–393 К было установлено, что в Si1-xSnx (0  x  0,04) твердом растворе существенную роль в формировании электрических свойств играет рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нанообразованиях. И этим доказано, что, эпитаксиальные пленки твердых растворов Si1-xSnx (0  x  0,04), полученные на кремниевых подложках, могут быть перспективными при изготовлении диодов, работающих в режиме двойной инжекции.

Осаждением в СВЧ-плазме (2,45 ГГц) в смеси метан-силан-водород на подложках кремния и монокристаллического алмаза синтезированы композитные пленки алмазкарбид кремния кубического политипа (3C-SiC). Структура и фазовый состав пленок проанализированы методами сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Удельное сопротивление пленок  при температуре T = 340 К составило (0,8−6)10-2 Омсм. Температурные зависимости (T), измеренные в диапазоне 300−460 К, свидетельствуют о полупроводниковом характере электропроводности композитного материала, с энергией активации 0,09–0,20 эВ. Подобные композиты, состоящие из двух широкозонных полупроводников с отличными электронными свойствами и высокой теплопроводностью, потенциально могут быть интересными для применений в электронике.

Методами магнитно-силовой микроскопии (МСМ) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследованы плёночные образцы полумагнитного полупроводника на основе CdS, полученные термическим испарением и легированные Fe из поверхностного наноразмерного источника посредством отжига. Свойства слоев CdS: Fe определяются наличием отдельных атомов Fe, растворенных в CdS, и расположением наноразмерных фаз с ферромагнитными свойствами. Совместный анализ результатов МСМ, ЭОС и температурной зависимости магнитной восприимчивости позволил идентифицировать два типа наноразмерных магнитных фаз – FeS и Fe2O3, расположенных в пленке твердого раствора CdхFe1-xS.

Методами нейтронографии и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные характеристики гетероструктур на основе гетеропары InGaAs/GaAs, в том числе многослойной периодической гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs, содержащей 30 периодов. Продемонстрированы необходимость измерения карт обратного пространства около симметричных и асимметричных узлов отражения в дополнение к кривым дифракционного отражения для выявления качественных и количественных параметров кристаллической структуры гетероэпитаксиальных материалов, а также возможность применения такого измерения не только для гетероструктур, представляющих собой одиночный слой на подложке, а также для многослойных периодических эпитаксиальных структур. По результатам измерений методом рентгеновской дифрактометрии вычислены параметры кристаллических решёток слоёв InGaAs и GaAs в вертикальном и латеральном направлениях относительно плоскости поверхности подложки, толщины слоёв l и состав x твёрдого раствора InxGa1-xAs в гетероструктурах, оценена степень релаксации слоёв по измерениям карт обратного пространства около асимметричных узлов отражения. Методом нейтронографии была измерена многослойная гетероструктура, получен профиль толщины слоёв сверхрешётки по глубине структуры, оценены средние значения толщин квантовых ям InGaAs и барьеров GaAs. Установлено соответствие между результатами измерений средних толщин слоёв и периода сверхрешётки для многослойной периодической гетероструктуры различными методами, а также с технологическими ростовыми данными.

В статье исследуется влияние гига-экономики на экономический рост в условиях трансформации рынка труда. Проанализированы позитивные и негативные последствия распространения новых форм аварий, таких как работа через цифровые платформы и краткосрочные контракты. Выявлено, что гига-экономика обеспечивает обеспечение доступности рынка труда и гибкой занятости, однако одновременно влияет на нестабильность доходов и ограничивает доступ к гарантированным гарантиям. Гендерные и возрастные различия в условиях существования в гига-экономике приводят к формированию новой структуры формы. В статье предложены рекомендации по созданию эффективной системы социальной защиты для представителей гиг-экономики с целью минимизации негативных последствий для уязвимых групп населения.

Использование цифровых двойников в нефтегазовой отрасли способствует оптимизации технологических процессов и снижению затрат, но требует значительных инвестиций. В статье рассматриваются различные подходы к финансированию инновационных проектов, включая государственные программы, частные инвестиции и механизмы партнерства. Приведены примеры российских и зарубежных практик, а также предложен алгоритм выбора финансовых источников с учетом экономической эффективности внедрения технологии.

Четвертая промышленная революция, основу которой составляет широкомасштабное использование систем цифровых решений, заставляет трансформироваться привычные и знакомые методы управления проектами. В России эти изменения оказывают существенные влияния не только на организацию промышленности, но и на сектор сельского хозяйства. С ростом численности населения планеты следует растущий спрос на продукты растительного и животного происхождения. Для управления такими объемами потребления необходимо осваивать технологии, способные в момент времени обрабатывать и классифицировать массивы информации. Применение практик проектного управления, которые являются общепризнанными стандартами ведения деятельности, теперь сопровождается задействованием искусственного интеллекта и цифровых инструментов. Данная работа рассматривает текущую трансформацию процессов управления российским агропромышленным комплексом и оценивает его цифровую зрелость, степень внедрения технологий новой волны промышленной революции в контексте проектного управления, что позволяет сформулировать рекомендации в области развития теории и практики проектного подхода в сфере сельского хозяйства.