SCI Библиотека

В статье рассматривается проблематика современных тенденций в функционировании транснациональных корпораций (ТНК) пятого поколения, их отличительные особенности от предшествующих поколений. Проанализирована количественная динамика ведущих мировых ТНК, выявлен резкий рывок в данном рейтинге китайских транснациональных корпораций. Определены основные стратегии ТНК в условиях геополитических изменений, которым сопутствуют санкции и ограничения. Выявлены основные параметры компаний, а именно динамика объемов продаж топ-10 ТНК, составлен рейтинг маяков.

В статье рассмотрено влияние глобализации на экономическое развитие России, и выявлена роль неправомерных санкций и ограничений недружественных стран на экономическую и финансовую безопасность Российской Федерации. Проведен анализ экспортно - импортных операций в стране, что позволило отметить положительное сальдо торгового баланса и его увеличение за анализируемый период, но вместе с тем, выявлены проблемы во внешнеэкономической деятельности. Авторами отмечена значимость цифровых технологий в системе финансовой безопасности граждан, населения, муниципальных образований и государства. Сформированы теоретико- практические материалы в области финансового и цифрового сектора, представлены методы и механизмы финансовой и цифровой безопасности.

В статье рассмотрены вопросы развития и эффективности человеческого капитала организации. Показано, что наличие выявленных проблем затрудняет управление и операционализацию человеческого капитала в компаниях, что может привести к искажению оценки его стоимости и эффективности. Эффективное управление человеческим капиталом требует создания системы, которая будет учитывать как текущие, так и будущие потребности организации. Она должна включать в себя развитие гибких навыков, обучение и адаптацию новых сотрудников, а также внедрение современных технологий в управление персоналом. В статье предложен ряд формул для использования в системе управления развитием человеческого капитала организации.

Рассмотрены параметры средневолнового инфракрасного фотоприемного устройства, изготовленного в виде гибридной микросхемы на основе фокальной матрицы планарных n+–pпереходов HgCdTe с числом 20482048 элементов и кремниевого мультиплексора. Температурная зависимость обратного тока элементов в диапазоне 125–300 К имела характерную зависимость Аррениуса с энергией активации близкой к ширине запрещенной зоны полупроводника и лимитировалась диффузионной компонентой тока. При более низкой температуре ток лимитировался генерацией носителей с участием глубокого уровня локализованного вблизи середины запрещенной зоны. Гистограмма обнаружительной способности элементов матрицы имела вид симметричной кривой с максимумом и средним значением  1,31012 см Гц1/2/Вт.

В статье говорится об особенности проектирования импульсных ФПУ, связанной с необходимостью обеспечения квазиоптимальной фильтрации, обеспечивающей выделение сигнала из шумов фотодиода и усилителя. Показана одна из возможных простых реализаций квазиоптимального фильтра импульсного ФПУ на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InPфотодиодов. Представлены численный анализ зависимости пороговой чувствительности ФПУ на основе InGaAs/InP от длительности входного импульса излучения для различных диаметров фоточувствительного элемента для значений ёмкостей CФД и темновых токов IФД, а также оптимальные значения постоянной времени  двойного RC-фильтра, обеспечивающие приемлемые длительности переднего фронта tmax при длительности входного импульса 0,5 = 10 нс для всего типоразмерного ряда ФПУ. Построены графики зависимости пороговой чувствительности ФПУ от длительности сигнала и диаметра фоточувствительного элемента. Сформулированы требования к структуре всех типов ФПУ для максимального выделения импульсного сигнала из шума.

Юрий Георгиевич Алексеев родился 15 апреля 1926 г. в Ленинграде. В мае 1942 г. вместе с матерью эвакуирован из блокированного Ленинграда в Тбилиси. В ноябре 1943 г. призван на военную службу на Черноморский флот, прошел обучение в Бакинском военно-морском подготовительном училище и Каспийском высшем военно-морском училище, затем был переведен в Высшее военно-морское училище им. М. В. Фрунзе, которое окончил в 1949 г. В том же году поступил в экстернат исторического факультета ЛГУ. Служил на Балтийском флоте, в июне 1951 г. получил тяжелое ранение после подрыва корабля на оставшейся с войны мине. После длительного лечения в январе 1952 г. переведен на береговую службу и в ноябре 1953 г. в звании старшего лейтенанта уволен из вооруженных сил.

В статье рассмотрены эволюция и современное состояние BIM-технологии в строительной отрасли в контексте цифровой трансформации экономики. Проанализированы этапы становления BIM в России, от экспериментального внедрения 3D-моделирования до системной интеграции с искусственным интеллектом, Интернетом вещей и аддитивными технологиями. Определены ключевые тенденции цифровизации проектно-строительных процессов, переход от традиционных методов проектирования к комплексным интеллектуальным платформам управления жизненным циклом объектов. Особое внимание уделено экономическому и организационному эффекту применения BIM, сокращению сроков проектирования, снижению ошибок и себестоимости работ, росту производительности труда. Подчеркнута необходимость развития кадрового потенциала, стандартизации и технологического суверенитета для успешной реализации стратегии цифровой модернизации строительного комплекса России. Резюмируется формирование методологии проектирования, основанной на системности, интеллектуализации и междисциплинарной интеграции данных, обеспечивающих точность проектных решений, сокращение издержек и качественный уровень управляемости инвестиционно-строительным процессом.

Comparative analysis of splash of intrinsic photoconductivity of semiconductors with increasing concentration of recombination centers has been analyzed at low-level uniform and nonuniform illumination along of the electric field. Equation describing distribution of concentration of nonequilibrium charge carriers has been derived outside approximation of quasi-neutrality for arbitrary light beam profile along of the electric field. It follows from equation that due to photoinduced space charge, the splash of photoelectric gain in photoconductors under illumination perpendicular and along of the electric field should differ significantly at any conditions of recombination on current contacts. If photogeneration of charge carriers is nonuniform, then, unlike uniform photogeneration, the splash of photoelectric gain depends on the polarity of applied voltage. Note, that approximation of quasi-neutrality is insensitive to polarity. An analytical expression is derived for maximum value of electron photoelectric gain depended on concentration of recombination centers in the case of exponential photogeneration profile and sweep-out effect on contacts. Found relation between concentrations of nonequilibrium electrons and holes allows deriving an analytical expression for maximum value of hole photoelectric gain.

В работе представлены результаты моделирования времени жизни в узкозонных полупроводниковых слоях HgCdTe р- и n-типа проводимости в соответствии с механизмами рекомбинации Оже, излучательным и Шокли-Рида-Холла, используя эмпирические формулы Битти, Ландсберга и Блакемора (BLB), выведенные на основе kp модели Кейна с заданными начальными параметрами. Для структур HgCdTe р-типа проводимости состава x = 0,22 мол. дол., выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках CdZnTe, методом приближения экспериментальных и теоретических данных рассчитаны характеристические коэффициенты |F1F2| и , значение которых находится в хорошем соответствии с аналогичными работами. Проведена оценка расположения энергетического уровня ловушек в запрещенной зоне материала р-типа проводимости.

В научной статье обосновывается необходимость перехода к мобилизационной модели инновационного развития, направленной на преодоление системных барьеров и достижение технологического суверенитета через формирование антихрупкой национальной инновационной системы с соответствующей системой показателей для мониторинга эффективности в условиях санкционного давления и геополитической нестабильности.

Цель работы заключается в комплексном анализе и научном обосновании мобилизационной парадигмы инновационного развития национальной экономики как детерминанты обеспечения технологического суверенитета и макроэкономической стабильности в условиях целенаправленной внешней изоляции и санкционного давления.

Научная новизна работы заключается в обоснованной целостной модели мобилизационного инновационного развития, которая трансформирует традиционную логику экономического роста, смещая фокус с коммерческой рентабельности на критерии стратегического выигрыша и снижения уязвимостей, а также пересмотре традиционной модели влияния инноваций на ВВП.

Методы исследования носят комплексный характер и включают: метод системного анализа, сравнительного анализа, контент-анализа программных и стратегических документов. Важную роль играет теоретическое моделирование, на что указывает заявленная гипотеза о нелинейной зависимости между ростом интегрального показателя (ВВП) и параметрами инновационной сферы, а также намерение в дальнейшем выполнить моделирование уровня и темпов опережающего развития.

Практическая значимость работы определяется разработкой многоуровневой системы показателей, интегрирующей финансовые, кадровые, научно-технические и производственные компоненты, что соответствует методологическим принципам, заложенным в Концепции технологического развития РФ до 2030 года. Представленное исследование заполняет критически важный пробел в теории и практике инновационного менеджмента, предлагая системное решение задачи обеспечения технологического суверенитета в условиях перманентного санкционного давления.