В работе освещены методы проектирования и расчета резонансных усилителей на транзисторах. Основное внимание обращено на вопросы, не отраженные еще в литературе либо требующие дополнительного исследования: расчет усилителей с учетом особенностей транзисторов; использование справочных данных транзисторов; дополнение ряда теоретических положений по устойчивости схем; рекомендации по применению конкретных усилителей. Впервые в литературе делается попытка при расчете учесть влияние паразитных внешних связей в реальных конструкциях. Несмотря на исследование ряда чисто теоретических вопросов и применение сравнительно сложного матричного математического аппарата, анализ схем доведен до практических рекомендаций и простых расчетных формул. Книгой могут воспользоваться широкий круг специалистов, а также студенты старших курсов радиотехнических вузов.
