Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем(ИМС) во всех радиотехнических схемах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Отсюда особо важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов.
Качество и надежность элементной базыинтегральных микросхем во многом определяются технологией их изготовления. При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальные трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований. Вследствие сложности и многостадийности технология ИМС выделилась в самостоятельную научную дисциплину. Она предполагает совокупность технологических процессов изготовления, контрольно-измерительных операций, а также физических, химических и механических испытаний, осуществляемых с исходными материалами и полуфабрикатами или отдельными электронными элементами для получения ИМС, как законченных изделий, обладающих заданными параметрами.
На современном этапе развития микроэлектроники используются два основных вида интегральных микросхем:
пленочные интегральные микросхемы;
полупроводниковые интегральные микросхемы.
Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путемпослойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений.
Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового кристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.
