SCI Библиотека

В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника, но достаточно большое значение продолжает сохранять полупроводниковая техника, связанная с производством и применением дискретных приборов. Особое положение среди дискретных приборов занимают мощные полупроводниковые приборы и, в частности, мощные транзисторы. Они широко используются в различных электронных системах в качестве элементов управления, регулирования и стабилизации. Мощные полупроводниковые приборы — тиристоры и транзисторы — выступают в роли связующих элементов между электронной системой и исполнительными узлами и механизмами. В книге рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Издание предназначено для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

В работе освещены методы проектирования и расчета резонансных усилителей на транзисторах. Основное внимание обращено на вопросы, не отраженные еще в литературе либо требующие дополнительного исследования: расчет усилителей с учетом особенностей транзисторов; использование справочных данных транзисторов; дополнение ряда теоретических положений по устойчивости схем; рекомендации по применению конкретных усилителей. Впервые в литературе делается попытка при расчете учесть влияние паразитных внешних связей в реальных конструкциях. Несмотря на исследование ряда чисто теоретических вопросов и применение сравнительно сложного матричного математического аппарата, анализ схем доведен до практических рекомендаций и простых расчетных формул. Книгой могут воспользоваться широкий круг специалистов, а также студенты старших курсов радиотехнических вузов.

Настоящее — второе — издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведённых в справочнике. Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.

Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.

Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.

Рассмотрены рекомендации по выбору и построению усилительных схем, даны описания и сравнительная оценка различных схемных решений, обеспечивающих высокие качественные показатели и надежность. Большое внимание уделено вопросам выбора режима работы транзисторов, способам питания схем, стабилизации режима, а также описанию наиболее типичных схем. Приведены многочисленные примеры расчета. Настоящее второе издание дополнено главами, посвященными усилителям постоянного тока и высокочастотным избирательным усилителям. Кроме того, в него включены основные электрические свойства полевых транзисторов, выбор и стабилизация их режима, а также применение для повышения качественных показателей усилителей. Это делает книгу более полным пособием по проектированию усилительных устройств на транзисторах. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры.

В первом томе энциклопедии описаны три категории устройств: электронные компоненты, которые обеспечивают производство, распространение, распределение, преобразование и хранение электрической энергии (аккумуляторы, реле, резисторы, конденсаторы, трансформаторы и др.); устройства, использующие электромагнитную энергию (электромагниты, соленоиды, электродвигатели и др.), а также полупроводниковые приборы (диоды и транзисторы). Каждая статья представляет собой законченное описание какого-либо электронного компонента или группы родственных компонентов. Подробно описано назначение, принцип действия, основные параметры, варианты изготовления и области применения электронных компонентов, а также приведены примеры типовых схем их включения. Материал сопровождается фотографиями, схемами и диаграммами.

Для радиолюбителей.

В настоящее время очень хорошо прослеживается динамика развития ведущих производителей электронных полупроводниковых приборов США, Японии и Западной Европы. Совсем недавно достаточно громко заявила о себе Южная Корея, в основном благодаря научно-техническому прогрессу фирмы SAMSUNG.

В связи с тем, что в странах бывшего СССР появилось огромное количество разнообразной электронной аппаратуры зарубежного производства, возникла необходимость в создании подобного справочника, охватывающего почти всю гамму зарубежных полупроводниковых приборов.

При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г.г. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольких справочников, из данных в Европе и самого популярного в США справочника “ECG Semiconductor Master Replacement Guide” 1998 г. Иногда составителю встречались некоторые расхождения между характеристиками электронных полупроводниковых приборов, описанных в справочниках, изданных в Европе и в технической документации фирм-производителей. Подобные расхождения были откорректированы.

Справочник предназначен в первую очередь для инженерно-технического персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям.

В книге изложена методика расчета основных устройств на транзисторах с приведением конкретных числовых примеров. Кратко пояснены принципы действия схем. Работа устройств проиллюстрирована временными диаграммами.

Книга рассчитана на подготовленных радиолюбителей.

Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе.