Влияние энергии ионов при воздействии азотной плазмы на постоянные токи насыщения HEMT-транзисторов на основе нитридов III группы (2018)
В работе изучалось воздействие плазменной обработки в среде азота на DC-характеристики HEMT-транзисторов. Показано, что падение токов насыщения транзистора в результате плазменной обработки высокоэнергетичными ионами может быть связано с образованием на поверхности GaN cap-слоя транзисторной структуры зарядовых рассеивающих центров, которые приводят к кулоновскому рассеянию носителей в 2DEG канале, что приводит к падению тока насыщения приборов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2018)