Архив статей

Влияние вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации в кремнии (2018)
Выпуск: №3 (2018)
Авторы: Цвигун Наталья Викторовна, Копица Геннадий Петрович, Власова Татьяна Викторовна, Крыштоб Виталий Ильич, Расмагин Сергей Иосифович

Проведено исследование влияния вольфрама на время релаксации фотопроводимости в кремнии. Была выяснена роль вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки. Определены скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки в присутствии вольфрама и без него. Получено аномальное уменьшение скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии в присутствии вольфрама. Дано возможное объяснение этого явления.

Сохранить в закладках