Предложен метод обнаружения, наблюдения и оценки физических неоднородностей в материалах, объединяющий метод регистрации неоднородностей в показателе преломления по рассеянному ими свету и метод обнаружения неоднородностей в материалах по их поглощению и/или дополнительному тепловому излучению при нагреве лазерным излучением с использованием тепловизионного прибора ИК-диапазона. Предложена реализующая этот метод установка. Анализируется методика лазернотепловизионной неразрушающей бесконтактной дефектоскопии прозрачных материалов для контроля малоразмерных дефектов ИК-оптики и особо чистых полупроводников. Она может быть использована для выявления участков с повышенной концентрацией малоразмерных дефектов структуры материала и примесей, в том числе и так называемых кластерных образований. Причём во многих случаях возможно выявление скоплений электрически нейтральных примесей, в принципе не выявляемых традиционно применяемыми электрофизическими методами.
Предложен метод, позволяющий определять толщину и оптические постоянные тонких слоев. В основе метода лежит точное измерение углов падения света, соответствующих нулевому отражению в схеме нарушенного полного внутреннего отражения.
Экспериментально показана возможность модернизации аналоговых приборов с помощью контроллера Arduino Uno, на примере измерителя ИЛД-2М, который был апробирован в установке для измерения влияния плотности энергии импульсного лазерного излучения с длиной волны = 355 нм на коэффициент отражения различных материалов. Для калибровки использовался измеритель энергии лазерного излучения NOVA II, с помощью которого был найден коэффициент соответствия между энергией измеренной NOVA II и напряжением на выходе ИЛД-2М. Обозначены основные
проблемы, оказавшие влияние на необходимость усовершенствования аналогового оборудования. Модернизация позволила провести обработку результатов эксперимента с помощью современных компьютерных технологий.
Описан метод определения плотности энергии (мощности) импульсного лазерного из-лучения при введении эталонного материала в оптическую плоскость обработки, что позволяет исключить влияние физико-химических свойств исследуемых материалов. Параметры сфокусированного лазерного пучка определялись при измерении энергии, поглощенной эталоном, и площади пятна облучения, оставшегося на нем после взаимодействия с лазерным пучком. В случае разрушения исследуемого образца остается возможность определения плотности энергии (мощности) воздействующего лазерного излучения. Данный метод может быть применен в области исследования взаимодействия лазерного излучения с веществом, в частности, определения оптической стойкости (прочности) материалов