ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС)

Архив статей журнала

ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА НАНОПРОВОЛОКОЙ С ПЕРЕХОДАМИ НОСИТЕЛЕЙ ИЗ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ В ДОНОРНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ПРИСУТСТВИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ (2022)
Выпуск: № 3 (2022)
Авторы: Синявский Э. П., Соковнич Сергей Михайлович

Теоретически исследуется поглощение света квантовой проволокой с переходом носителей из валентной зоны в донорные состояния в присутствие поперечного электрического поля. Примесный центр моделируется потенциалом нулевого радиуса. Получены выражения для коэффициента поглощения света с учётом процессов рассеяния носителей. Анализируются частотные зависимости коэффициента поглощения света при различных значениях напряженности электрического поля и при различных значениях энергии связанного состояния. Показана возможность управления положением максимума поглощения света с помощью электрического поля.

Сохранить в закладках