Доклад: Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs

Автор(ы)
Суханова А.С., Климов Е.А., Косякова А.М., Гладышева К.А.
Тип доклада
Устный

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 15
10:45 | Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs
11:00 | Исследование влияния длины цепи стабилизирующего амина на синтез коллоидных квантовых точек PbS
Матюхин Павел БорисовичФедеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
11:30 | Перерыв
13:00 | Обед
15:15 | Перерыв (подсчёт баллов)