Доклад: Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs
Докладчик
Тип доклада
Устный
Секция программы
Дата и время
пятница, 07 фев (начало в 10:45)
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
10:00 |
Термодинамические особенности синтеза пленок HgTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
10:45 |
Анализ электронных транспортных свойств модулированно легированных гетероструктур типа HEMT, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs
11:30 |
Перерыв
13:00 |
Обед
15:15 |
Перерыв (подсчёт баллов)