Доклад: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов

Докладчик
Автор(ы)
Попов К.А.
Соавтор(ы)
Антонова В.Е., Родина А.М., Климанов Е.А., Ляликов А.В.
Тип доклада

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 15
10:30 | Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
11:00 | Исследование влияния длины цепи стабилизирующего амина на синтез коллоидных квантовых точек PbS
Матюхин Павел БорисовичФедеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
11:30 | Перерыв
13:00 | Обед
15:15 | Перерыв (подсчёт баллов)