В работе дана характеристика особенностям метода рентгенофлуоресцентного анализа материалов в условиях полного внешнего отражения потока возбуждающей рентгеновской радиации на исследуемой поверхности (РФА ПВО). Сформулированы требования, предъявляемые к узлам РФА ПВО спектрометров и изучаемым объектам. Показано, что критическим параметром при РФА ПВО измерениях является радиационная плотность потока возбуждения. На основании полученных экспериментальных результатов сделан вывод, что максимум радиационной плотности в формируемых рентгеновских потоках достигается при использовании плоских рентгеновских волноводов-резонаторов. Обсуждаются экспериментальные данные, показывающие, что волноводно-резонансный режим распространения радиационного потока характерен для изучения МоК в кварцевых плоских протяжённых щелевых зазорах шириной менее 110 нм. Дана характеристика степени повышения эффективности РФА ПВО измерений при использовании в качестве формирователей потоков возбуждения излучения MoK рентгеновских волноводно-резонансных устройств. Кратко описана реализация РФА ПВО измерений в условиях ионно-пучкового возбуждения выхода характеристической рентгеновской флуоресценции.
The paper describes the characteristics of X-ray fluorescence analysis of materials under conditions of total external reflection of the exciting X-ray radiation (TXRF) on the examined surface. The requirements for TXRF spectrometers and the objects under study are formulated. It is shown that the critical parameter during TXRF measurements is the radiation density of the exciting flux. Based on the experimental results, it was concluded that the maximum of the radiation density in the generated X-ray fluxes is achieved using planar X-ray waveguide-resonators. Experimental data show that the waveguide-resonant propagation mode of the MoK radiation flux is distinctive for studying in quartz planar extended slot gaps with a width of less than 110 nm. Given characteristic increases the efficiency degree in the TXRF measurements when using X-ray waveguide-resonance devices as the formers of MoK radiation excitation fluxes. The implementation of TXRF measurements under conditions of ion beam excitation of the characteristic X-ray fluorescence output is briefly described.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 54.064. Анализ следов, определение степени загрязнения
54.084. Измерительная аппаратура и оборудование лабораторий - eLIBRARY ID
- 39387139
В работе дана характеристика метода рентгенофлуоресцентного анализа в условиях полного отражения потока возбуждения (РФА ПВО) и выделен критический параметр, определяющий степень его эффективности. Показано, что в соответствии с этим критерием максимум эффективности РФА ПВО спектрометрии достигается при формировании потока возбуждения плоским рентгеновским волноводом-резонатором. Поскольку в РФА ПВО измерениях наиболее часто используется в качестве потока возбуждения излучение MoK, приведены данные систематических исследований, на основании которых установлено, что щелевой зазор кварцевого ПРВР под это излучение должен быть меньше 110 нанометров. Кратко описана модернизация РФА при ионном возбуждении (PIXE спектрометрия) для осуществления элементной диагностики поверхностного слоя изучаемого объекта толщиной 3–5 нм, т. е. создание нового метода эффективного элементного анализа поверхности материалов – РФА ПВО РВ (TXRF-PIXE).
Список литературы
1. Klug H. P., Alexander L. E. X-ray diffraction procedures for polycrystalline and amorphous materials. – New York: Wiley, 1974.
2. Authier A. Dynamical theory of X-ray diffraction. – Oxford: Oxford Univ. Press, 2001.
3. Bertin E. P. Principles and practice of X-ray spectrometric analysis. – New York: Plenum Press, 1975.
4. Handbook of X-ray spectrometry / Eds. by R. Van Grieken and A. A. Markowicz. – New York: Dekker, 2009.
5. Johanson S. A. E., Campbell J. L., Malquist K. G. Principles induced X-ray emission spectrometry (PIXE). – New York: Wiley, 1995.
6. Quantitative electron-probe microanalysis / Eds. by V.D. Scott, G. Love. – New York: Wiley, 1983.
7. Jenkins R., Gould R. W., Dedcke D. Quantitative X-ray spectrometry. – New York: Dekker, 1995.
8. X-ray spectrometry / Eds. by S. K. Sharma. – Croatia: In. Tech. Publ, 2012.
9. Yoneda Y., Horiuchi T. // Rev. Sci. Instr. 1971. Vol. 42. P. 1069.
10. Егоров В. К., Егоров Е. В., Афанасьев М. С. // Известия РАН. Серия Физическая. 2014. Т. 78. № 6. С. 700.
11. Klockenkamper R. Total reflection X-ray fluorescence analysis. – New York: Wiley, 1997.
12. Aiginer H. // Spectrochimica Acta. 1991. Vol. 46B. P. 1313.
13. Wobrauschek P. // X-ray Spectrom. 2001. No. 36. P. 289.
14. Von Bohlen A. // Spectrochimica Acta. 2009. Vol. B64(10). P. 821.
15. Streli C., Wobrauschek P., Meirer F., Perroni G. // J. Analyt. Atomic Spectrom. 2008. No. 23. P. 792.
16. X-ray spectrometry: recent technological advanced. / Eds. by K. Tsuji, J. Injuk, R. Van Grieken. – Chichester: Wiley, 2004.
17. Klockenkamper R., Von Bohlen A. Total reflection X-ray fluorescence analysis and related methods. – New York: Wiley, 2015.
18. Underwood J. H. // Space Sci. Instr. 1975. No. 1. P. 289.
19. Блохин М. А. Физика рентгеновских лучей. – Москва: ГИТТЛ, 1957. [M. Blochin, Physik runtgenstrahlen. (Verlag der Technic, Berlin, 1957; GITTL, Moscow, 1957)].
20. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. – Москва: ГИФМЛ, 1959.
21. Prange A., Schwenke H. // Advances in X-ray analysis. 1992. Vol. 35. P. 899.
22. Лосев И. Ф. Количественный рентгеноспектральный флуоресцентный анализ. – Москва: Наука, 1969.
23. Рентгенофлуоресцентный анализ. Применение в заводских лабораториях. / Под ред. Х. Эрхарда. Москва: Металлургия, 1985.
24. Torma P. T., Kostamo J., Sipila H., Mattila M., Kostamo P., Kostamo E., Lipsanen H., Laubis C., Scholze F., Nelms N., Shortt B., Bavdaz M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2014. Vol. 61. P. 695.
25. Егоров В. К., Зуев А. П., Егоров Е. В. // Заводская лаборатория. 2001. Т. 67(32). С. 3.
26. Yakushiji K., Ohkawa S., Yoshinaga A., Hagara J. // Japan J. Appl. Phys. 1994. Vol. 33(2 part 1). P. 1130.
27. Egorov V. K., Egorov E. V. // Spectrochimica Acta. 2004. Vol. B59. P. 1049.
28. Egorov V. K., Egorov E. V. // Adv. X-ray Chem. Anal. Japan. 2013. Vol. 44. P. 21.
29. Egorov V. K., Egorov E. V. / The Los Alamos eprint archive. https://Arxiv.org/abs/physics/0101059
30. Мингазин Т. А., Зеленов В. И., Лейкин В. Н. // ПТЭ. 1981. № 1. С. 229.
31. Лейкин В. Н., Мингазин Т. А., Зеленов В. И. // ПТЭ. 1981. № 3. С. 208.
32. Лейкин В. Н., Мингазин Т. А., Зеленов В. И. // ПТЭ. 1983. № 6. С. 33.
33. Bedzyk M., Bommarito G., Schildkraut J. // Phys. Rev. Let. 1989. Vol. 69. P. 1376.
34. Egorov V. K., Egorov E. V. // Advances in X-ray analysis. 2003. Vol. 46. P. 307.
35. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. – Москва: Наука, 1973.
36. Мондейл Л., Вольф Э. Оптическая когеренция и квантовая оптика. – Москва: Физматлит, 2000.
37. Egorov V. K., Egorov E. V. // X-ray Spectrometry. 2007. Vol. 36. P. 381.
38. Kumakhov M., Komarov F. // Phys. Rep. 1990. Vol. 191. P. 289.
39. Egorov V. K., Egorov E. V. // Proc. of SPIE. 2001. Vol. 4502. P. 148.
40. Блохин М. А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. – Москва: Наука, 1982.
41. Tsuji K., Delalieux F. // X-ray Spectrometry. 2004. Vol. 34. P. 281.
42. Егоров В. К., Егоров Е. В., Афанасьев М. С. Материалы рабочего совещания «Рентгеновская оптика 2010». – Черноголовка. 2010. С. 141.
43. Egorov V. K., Egorov E. V. // Advances in X-ray Chem. Anal. Japan. 2012. Vol. 43. P. 139.
44. Егоров В. К., Егоров Е. В. // Поверхность (рент., синх. и нейтр. исследования). 2009. № 1. С. 82.
[V. K. Egorov, E. V. Egorov // Surface investigation. 2009. No. 3 (1), P. 41].
45. Egorov V. K., Egorov E. V. // X-ray Spectrometry. 2004. Vol. 33. P. 360.
46. Егоров В. К., Егоров Е. В. // Поверхность (рент., синх. и нейтр. исследования). 2005. № 2. С. 64.
47. Егоров В. К., Егоров Е. В. // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 124 (6). С. 808. [V. K. Egorov and E. V. Egorov // Optics and Spectroscopy. 2018. Vol. 124. No. 6. P. 808].
48. Патент РФ 2255191 (2014).
49. Bird J. R., Williams J. S. Ion beams for material analysis. – Sydney: Acad. Press, 1989.
50. Егоров В. К., Егоров Е. В. / Сб. научных трудов научно-практической конференции «Современные тенденции развития науки и технологий». № 6 (часть 1), 24 (2015).
51. Cahill T. A. // Ann. Rev. Nucl. Part. Sci. 1980. Vol. 30. P. 211.
52. Egorov V. K., Egorov E. V., Afanas’ev M. S. // IOP Publ., IOP Conf. Series, J. of Physics, Conf. Series. 2017. Vol. 808. P. 012002.
53. Doolittle L. R. // NIM. 1985. Vol. B9. P. 344.
1. H. P. Klug and L. E. Alexander, X-ray diffraction procedures for polycrystalline and amorphous materials. (Wiley, New York, 1974).
2. A. Authier, Dynamical theory of X-ray diffraction. (Oxford Univ. Press, Oxford, 2001).
3. E. P. Bertin, Principles and practice of X-ray spectrometric analysis. (Plenum Press, New York, 1975).
4. Handbook of X-ray spectrometry. Eds. by R. Van Grieken and A.A. Markowicz. (Dekker, New York, 2009).
5. S. A. E. Johanson, J. L. Campbell, and K. G. Malquist, Principles induced X-ray emission spectrometry (PIXE). (Wiley, New York, 1995).
6. Quantitative electron-probe microanalysis. Eds. by V. D. Scott, G. Love. (Wiley, New York, 1983).
7. R. Jenkins, R. W. Gould, and D. Dedcke, Quantitative X-ray spectrometry. (Dekker, New York, 1995).
8. X-ray spectrometry. Eds. by S. K. Sharma. (In. Tech. Publ, Croatia, 2012).
9. Y. Yoneda and T. Horiuchi, Rev. Sci. Instr. 42, 1069 (1971).
10. V. K. Egorov, E. V. Egorov, and M. S. Afanas’ev, Billutin of the Russian academy of Science: Physics 78 (6), 498 (2014).
11. R. Klockenkamper, Total reflection X-ray fluorescence analysis. (Wiley, New York, 1997).
12. H. Aiginer, Spectrochimica Acta. 46B, 1313 (1991).
13. P. Wobrauschek, X-ray Spectrom. 36, 289 (2001).
14. A. Von Bohlen, Spectrochimica Acta. B64 (10), 821 (2009).
15. C. Streli, P. Wobrauschek, F. Meirer, and G. J. Perroni, Analyt. Atomic Spectrom. 23, 792 (2008).
16. X-ray spectrometry: recent technological advanced. Eds. by K. Tsuji, J. Injuk, R. Van Grieken. (Wiley, Chichester, 2004).
17. R. Klockenkamper and A. Von Bohlen, Total reflection X-ray fluorescence analysis and related methods. (Wiley, New York, 2015).
18. J. H. Underwood, Space Sci. Instr. 1, 289 (1975).
19. M. Blochin, Physik runtgenstrahlen. (Verlag der Technic, Berlin, 1957; GITTL, Moscow, 1957).
20. L. D. Landau and E. M. Lifshits, Electrodynamics of continuous medium. (Addison-Wesley, Reading M. A., 1965; GIFML, Moscow, 1959).
21. A. Prange and H. Schwenke, Advances in X-ray analysis. 35, 899 (1992).
22. I. P. Losev. Quantity X-ray fluorescence spectral analysis. (Nauka, Moscow, 1969) [in Russian].
23. Rontgenfluoreszenzanalyse, Anwendung in Betriebslaboratorien. Eds. by H. Ehrhard. (VEB Deutscher Verlag fur Grundstoffindustrie, Leipzig, 1981; Mettalurgia, Moscow, 1985).
24. P. T. Torma, J. Kostamo, H. Sipila, M. Mattila, P. Kostamo, E. Kostamo, H. Lipsanen, C. Laubis, F. Scholze, N. Nelms, B. Shortt, and M. Bavdaz, IEEE Trans. Nucl. Sci. 61, 695 (2014).
25. V. K. Egorov, A. P. Zuev, and E. V. Egorov, Zavodskaya laboratoria 67 (32), 3 (2001)
26. K. Yakushiji, S. Ohkawa, A. Yoshinaga, and J. Hagara, Japan J. Appl. Phys. 33 (2 part 1), 1130 (1994).
27. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Spectrochimica Acta. B59, 1049 (2004).
28. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Adv. X-ray Chem. Anal. Japan. 44, 21 (2013).
29. V. K. Egorov and E. V. Egorov, The Los Alamos e-print archive. https://Arxiv.org/abs/physics/0101059
30. T. A. Mingazin, V. I. Zelenov, and V. N. Leykin, PTE 1, 229 (1981)
31. V. N. Leykin, T. A. Mingazin, and V. I. Zelenov, PTE 3, 208 (1981)
32. V. N. Leykin, T. A. Mingazin, and V. I. Zelenov, PTE 6, 33 (1983)
33. M. Bedzyk, G. Bommarito, and J. Schildkraut, Phys. Rev. Let. 69, 1376 (1989).
34. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Advances in X-ray analysis. 46, 307 (2003).
35. M. Born and E. Wolf, Principle of optics electromagnetic theory of propagation of interference and diffraction of light. (Pergamon Press, Oxford, 1993; Nauka, Moscow, 1973).
36. L. Mondel and E. Wolf, Optical coherence and quantum optics. (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1995; Fizmatlit, Moscow, 2000).
37. V. K. Egorov and E. V. Egorov, X-ray Spectrometry. 36, 381 (2007).
38. M. Kumakhov and F. Komarov, Phys. Rep. 191, 289 (1990).
39. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Proc. of SPIE 4502, 148 (2001).
40. M. A. Blochin and I. G. Shveycer, Rentgenospectralniy spravochnik. (Nauka, Moscow, 1982) [in Russian].
41. K. Tsuji and F. Delalieux, X-ray Spectrometry 34, 281 (2004).
42. V. K. Egorov, E. V. Egorov, and M. S. Afanas’ev, in Materials of «Rentgenovskaya optika 2010». (Chernogolovka. 2010). P. 141 [in Russian].
43. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Advances in Xray Chem. Anal. Japan. 43, 139 (2012).
44. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Surface investigation. 3 (1), 41 (2009).
45. V. K. Egorov and E. V. Egorov, X-ray Spectrometry. 33, 360 (2004).
46. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Poverchnost (rent., synch. and neutron investigation) 2, 64 (2005)
47. V. K. Egorov and E. V. Egorov, Optics and Spectroscopy. 124 (6), 808 (2018).
48. Patent of Russian Federation, No. 2255191 (2014).
49. J. R. Bird and J. S. Williams, Ion beams for material analysis. (Acad. Press, Sydney, 1989).
50. V. K. Egorov and E. V. Egorov, in Proc. Conf. «Modern trend development of science and technology», No. 6 (part 1), 24 (2015) [in Russian].
51. T. A. Cahill, Ann. Rev. Nucl. Part. Sci. 30, 211 (1980).
52. V. K. Egorov, E. V. Egorov, and M. S. Afanas’ev, IOP Publ., IOP Conf. Series, J. of Physics, Conf. Series. 808, 012002 (2017).
53. L. R. Doolittle, NIM B9, 344 (1985).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Костров А. В.
Космическая пылевая плазма и глобальная электрическая цепь Земли
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич, Е. В. Новиков, С. А. Гоибов
Исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при двухрежимной работе лавинного фотодиода
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Н. Г. Галкин, В. Л. Дубов, Д. В. Фомин, К. Н. Галкин, С. А. Пячин
Влияние ростовых параметров на структуру и температурную стабильность пленок BaSi2 на подложках Si(111) для перспективных солнечных элементов
С. И. Зиенко, Д. С. Слабковский
Определение происхождения ограненных алмазов по фононному крылу спектров люминесценции
И. С. Самойлов, А. В. Емельянов, А. В. Еремин, В. П. Полищук, Р. Х. Амиров
Исследование продуктов термодеструкции графита при квазистационарном нагреве
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
Селенид цинка в современной опто- и фотоэлектронике (обзор)
И. И. Кремис, Р. А. Гладков
Устройства микросканирования для тепловизоров диапазона 8–12 мкм на основе вращающихся пластин из Ge
Е. В. Егоров, В. К. Егоров, А. А. Котова, С. А. Борисов
Высокоэффективная рентгенофлуоресцентная спектрометрия материалов в условиях полного внешнего отражения потоков возбуждения, сформированных волноводно-резонансными устройствами
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
A. V. Kostrov
Cosmic dusty plasma and the global electric circuit of the Earth
PHOTOELECTRONICS
O. Y. Gorbadey, A. O. Zenevich, E. V. Novikov, and S. A. Ghoibov
Investigation of the amplitude distribution of microplasma pulses with a dual-mode avalanche photodiode
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
N. G. Galkin, V. L. Dubov, D. V. Fomin, K. N. Galkin, and S. A. Pyachin
Effect of growth parameters on the structure and temperature stability of BaSi2 films on Si (111) substrates as the basis for the development of new solar cells
S. I. Ziyenko and D. S. Slabkovsky
Determination of origin of the facetted diamonds on a phonon wing of ranges of luminescence
I. S. Samoylov, A. V. Emelianov, A. V. Eremin, V. P. Polishchuk, and R. Kh. Amirov
The study of products of thermal decomposition of graphite with quasi-stationary heating
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
N. A. Kulchitsky, A. V. Naumov, and V. V. Startsev
ZnSe application in modern opto- and photoelectronics (a review)
I. I. Kremis and R. A. Gladkov
Microscanning device for the range 8–12 µm based on the rotation plates from Ge
E. V. Egorov, V. K. Egorov, A. A. Kotova, S. A. Borisov
High effective TXRF spectrometry with using waveguide-resonance structures
Другие статьи выпуска
Представлены результаты разработки устройств микросканирования для тепловизоров третьего поколения на основе вращения пластин из Ge на базе коллекторного электродвигателя и двигателя с внешним ротором. Приведены основные технические характеристики микросканеров, дана их сравнительная оценка. Разработан и опробован метод контроля функционирования микросканеров, позволяющий осуществлять их юстировку как на этапе производства, так и на этапе использования в составе тепловизионных каналов. По результатам расчетов, абсолютная погрешность метода составила 4 мкм, что подтверждено натурными измерениями.
В статье обсуждается современное состояние технологии получения, а также особенности мирового рынка селенида цинка, дан анализ тенденций его развития. Рассмотрены особенности различных технологий выращивания кристаллов селенида цинка; проведен анализ характеристик получаемых материалов, приборов на их основе, а также основных производителей. Рассмотрены основные области применения селенида цинка в качестве оптических элементов технологических СО2-лазеров, высокоапертурной оптики в устройствах спецтехники, принимающих слабое инфракрасное излучение защитных окон специальных устройств, принимающих сигналы в широком спектральном диапазоне. Рынок селенида цинка в настоящее время переживает коррекцию после периода бурного роста. Представляется, что в средне- и долгосрочной перспективе рынок возобновит свой рост.
Методом эмиссионно-абсорбционной спектроскопии на длинах волн 515 и 589 нм исследовалась термодеструкция графитового стержня при температуре около 3 кК и скорости ее роста – 1 К/с. Излучение на длине волны 515 нм определяется возбужденными молекулами С2, на длине волны 589 нм – излучением микрочастиц. По мере роста температуры стержня температура на длине волны 515 нм увеличивалась, а на длине волны 589 нм – снижалась, что объясняется увеличением концентрации возбужденных молекул С2 и микрочастиц графита вблизи стержня.
Впервые выполнено исследование фононных крыльев (ФК) спектров люминесценции, при комнатной температуре алмазов, изготовленных в природных (27 образцов) и лабораторных (14 образцов) условиях. Установлено, что по форме фононного крыла и положению его «центра тяжести» по оси частот природные алмазы делятся на три группы: с левой, правой и средней характеристиками. Для каждой группы существует свой эталон, у которых коэффициент когерентности близок к единице. Форма ФК у синтетических и облагороженных алмазов заметно отличаются от природных алмазов. Эти отличия связаны с разными по времени механизмами алмазообразования. Алмазы, изготовленные в лаборатории, демонстрируют неравномерное распределение кривой среднего арифметического значения частоты для всех образцов в диапазоне частот. У природных алмазов среднее арифметическое значение частоты описывается гладкой S-образной функцией.
Методом высокотемпературного (800 оС) твердофазного (одноступенчатого и двухступенчатого) отжига на кремниевых подложках с ориентацией (111) сфор-мированы поликристаллические и ориентированные пленки дисилицида бария (BaSi2) толщиной до 100 нм. Однофазность пленок и их оптическая прозрачность ниже 1,25 эВ доказана по данным рентгеновской дифракции и оптических спектро-скопических методов. Установлено, что ориентированные пленки BaSi2 проявляют преимущественную ориентацию кристаллитов [(301), (601)] и [(211), (411)] параллельных плоскости (111) в кремнии. В ориентированных пленках обнаружены проколы, плотность которых и размеры уменьшаются при увеличении времени осты-вания после отжига при 800 оС. Расчет межплоскостных расстояний в решетке BaSi2 для выращенных пленок показал сжатие объема элементарной ячейки на 2,7 % для поликристаллической пленки, а для ориентированных пленок BaSi2 на: 4,67 % (10 минут остывания) и 5,13 % (30 минут остывания). При исследовании спектров комбинационного рассеяния света с изменяемой мощностью лазерного излучения установлено, что наибольшей устойчивостью обладают ориентированные пленки BaSi2, которые перспективны для создания солнечных элементов на кремнии. Определена максимальная плотность мощности лазерного луча (3109 Вт/м2), которая не приводит к началу разрушения данных пленок.
Выполнено исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при одновременной реализации на лавинном фотодиоде режима счета фотонов и токового режима работы. Режимы работы реализованы при постоянном напряжении питания лавинного фотодиода, превышающем напряжение пробоя его p–n-перехода. Оценено влияние на амплитуду микроплазменных импульсов величины напряжения питания лавинного фотодиода и интенсивности оптического излучения.
В работе рассмотрена модель глобальной электрической цепи Земли (ГЭЦЗ), которая неразрывно связана с процессами в космической плазме. Наша планета Земля окружена космической плазмой, состоящей из электронов, ионов и отрицательно заряженной пыли. Пыль беспрепятственно проникает через магнитное поле и атмосферу и заряжает поверхность Земли отрицательно. Стационарное электрическое состояние достигается при равенстве тока отрицательной пыли и тока положительно заряженных ионов, ускоренных из окружающей плазмы. Положительные ионы проникают в атмосферу через северные и южные широты до высот порядка 100 км, где они уже незамагничены и могут двигаться вдоль Зем-ной поверхности, осуществляя дополнительную ионизацию аномальной структуры Е-слоя, создавая ток «ясной» погоды (порядка 1500 ампер). Ток «ясной» погоды равномерно оседает на отрицательно заряженную поверхность Земли. Используя средний поток пыли на Землю и величину тока «ясной» погоды получено, что средний размер пылинки rn 410-7 м, масса mn 510-17 кг и заряд Qn 10-16 Кл. В работе также рассматриваются вопросы образования, зарядки и разрядки облаков, а также причины влияния космической пыли на погоду Земли.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400