Статья: Синтез покрытий TiN в парах Cu на сплаве Т15К6 методом гибридной плазменной технологии

Рассмотрен синтез покрытий TiN на сплаве Т15К6 в парах Cu на основе газоразрядных процессов вакуумно-дугового испарения Ti в азотсодержащей плазме и магнетронного ионно-плазменного распыления Cu. Определены технологические параметры синтеза композитных покрытий TiN-Cu: ток дугового разряда 90 А, ток и напряжение горения магнетронного разряда, соответственно, 0,5 А и 400 В, давление смеси газов в вакуум-ной камере 2,4 Па, температура ростовой поверхности 473 К, время синтеза  15 мин, время очистки ростовой поверхности подложки 10 мин, напряжение смещения 160 В. Рентгеноспектральный микроанализ структуры подтверждает содержание меди  5,57 ат.% в исследуемых покрытиях по всему профилю покрытий. Микотвердость покрытий составляет 38–42 ГПa.