Книга: Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках.
В частности, рассмотрены: феноменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; монофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниках квантовых структур. Результаты теории сопоставляются с экспериментом.
Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.
Информация о документе
- Формат документа
- PDF, DJVU
- Кол-во страниц
- 374 страницы
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
- Просмотров
- 49
Предпросмотр документа
Информация о книге
- ISBN
- 5867631117
- Издательство
- Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН
- Год публикации
- 1997
- Каталог SCI
- Физика
- ББК
- 22.3. Физика
- УДК
- 53. Физика
Статистика просмотров
Статистика просмотров книги за 2025 год.