В работе последовательно рассмотрены предпосылки создания импульсных цезий–ртуть– ксеноновых ИК-источников с двумя сапфировыми оболочками. При этом теоретически выявлены факторы, определяющие параметры излучения газоразрядной лампы, сформирована математическая модель и выполнен расчет температурных, плазменных и радиационных характеристик разряда, а также выполнен комплекс экспериментальных, конструкторских и технологических исследований. Полученные результаты расчетных и экспериментальных исследований позволили впервые создать новое поколение отечественных импульсных газоразрядных источников ИК-излучения с разрядом смеси паров цезия, ртути и ксенона, ограниченным системой из двух сапфировых оболочек.
Consideration is given to development of the pulsed Cs-Hg-Xe IR radiation sources with two sapphire shells. The factors those define discharge lamp irradiation parameters were theoretically revealed. The math model is created and calculations of temperature, plasma, radiation of discharge parameters are performed. In addition, complex of experimental constructive and technological researches is carried out. Obtained results of calculated and experimental researches allow first to create a new generation of the native pulsed gas-discharge IR radiation sources with discharge in vapors of cesium, mercury and xenon mixture, that bounded by two sapphire shells system.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 35724002
В данной работе нами рассмотрены основные достижения в области конструирования импульсных газоразрядных источников с сапфировой оболочкой. Предложенные расчетные данные, методики и экспериментальные результаты исследований цезий–ртуть–ксеноновой плазмы, ограниченной сапфировой оболочкой, свойства используемых материалов и конструкторско-технологические решения, полученные в ходе разработки импульсных газоразрядных источников ИК-излучения, могут послужить основой для создания других плазменных устройств на основе монокристаллической окиси алюминия.
Список литературы
1. Гавриш С. В., Гайдуков Е. Н., Константинов Б. А., Никифоров В. Г., Самодёргин В. А. // Светотехника. 1998. № 3. С. 22.
2. Маршак И. С., Дойников А. С., Жильцов В. П. и др. Импульсные источники света. 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1978.
3. Рохлин Г. Н. Разрядные источники света. – М.: Энергоатомиздат, 1991.
4. Воронкова Е. М., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. – М.: Наука, 1965.
5. Wharmby D. O. // Radiat. Processes Discharge Plasmas: NATO Adv. Stady Inst. Pitlory. 1986. Vol. 5. P. 327.
6. Rautenberg T. H., Jonson P. D. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. No. 6. P. 2270.
7. Dakin J. T., Rautenberg T. H. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. No. 1. Р. 118.
8. Gunther K., Kloss H.-G., Lehmann T., Radtke R., Serick F. // Contrib. Plasma Phys. 1990. Vol. 30. No. 6. P. 715.
9. Гавриш С. В., Градов В. М., Терентьев Ю. И. и др. // Светотехника. 2008. № 5. С. 12.
10. Градов В. М., Гавриш С. В., Рудаков И. В. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Приборостроение. 2017. № 6. С. 130.
11. Биберман Л. М., Воробьев В. С., Якубов И. Т. Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы. – М.: Наука, 1982.
12. Гавриш С. В. // Прикладная физика. 2010. № 4. С. 45.
13. Гавриш С. В. // Прикладная механика и техническая физика. 2011. Т. 52. № 6. С. 92.
14. Гавриш С. В., Кобзарь А. И., Кугушев Д. Н. и др. // Прикладная физика. 2010. № 2. С. 85.
15. Гавриш С. В., Кобзарь А. И., Логинов В. В. и др. // Прикладная физика. 2009. № 1. С. 53.
16. Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В. и др. // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2014. № 1. С. 49.
17. Браиловский В. Б., Гавриш С. В., Рыжков А. Е. // Контроль. Диагностика. 2007. № 2. С. 49.
18. Пучнина С. В. // Сварочное производство. 2015. № 9. С. 21.
19. Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В. // Сварочное производство. 2014. № 1. С. 31.
20. Гавриш С. В. // Прикладная физика. 2011. № 4. С. 42.
1. S. V. Gavrish, E. N. Gaydukov, B. A. Constantinov, et al., Svetotechnika, No. 3, 22 (1998).
2. I. S. Marshak, V. P. Doinikov, V. P. Jil’tsov, et al., Pulsed Sources of Light (Moscow, Energiya Publ. 1978) [in Russian].
3. G. N. Rohlin, Discharge Sources of Light (Moscow, Energoatomizdat Publ. 1991) [in Russian].
4. E. M. Voronkova, B. N. Grechushnikov, G. I. Dystler, and V. P. Petrov, Optical Materials for Infra-Red Technique (Moscow, Nauka, 1965) [in Russian].
5. D. O. Wharmby, NATO Adv. Study Inst. Pitlochry 5, 327 (1986).
6. T. H. Rautenberg and P. D. Jonson, J. Appl. Phys. 48 (6), 2270 (1977).
7. J. T. Dakin and T. H. Rautenberg, J. Appl. Phys. 56 (1), 118 (1984).
8. K. Gunther, H.-G. Kloss, T. Lehmann, R. Radtke, and F. Serick, Contrib. Plasma Phys. 30 (6), 715 (1990).
9. S. V. Gavrish, V. M. Gradov, E. Y. Terent’ev, et al., Svetotechnika, No. 5, 12 (2008).
10. V. M. Gradov, S. V. Gavrish, and I. V. Rudakov, Vestnik MGTU. Priborostroenie, No. 6, 130 (2017).
11. L. M. Byberman, V. S. Vorobiev, and I. T. Yakubov, Non-equilibrium low-temperature plasma kinetics (Moscow, Nauka, 1982) [in Russian].
12. S. V. Gavrish, Prikl. Fiz., No. 4, 45 (2010).
13. S. V. Gavrish, Applied mechanics and technical physics 52 (6), 92 (2011).
14. S. V. Gavrish, A. Y. Kobzar’, D. N. Kugushev, et al., Prikl. Fiz., No. 2, 85 (2010).
15. S. V. Gavrish, A. Y. Kobzar’, V. V. Loginov, et al., Prikl. Fiz., No. 1, 53 (2009).
16. S. V. Gavrish, V. V. Loginov, S. V. Puchnina, and A. V. Surdo, Oboronnyi complex – nauchno-tekhnicheskomu progressu Rossii, No. 1, 49 (2014).
17. V. B. Brailovskiy, S. V. Gavrish, and A. E. Ryjkov, Kontrol’. Diagnostika, No. 2, 49 (2007).
18. S. V. Puchnina, Svarochnoe Proizvodstvo, No. 9, 21 (2015).
19. S. V. Gavrish, V. V. Loginov, and S. V. Puchnina, Svarochnoe Proizvodstvo, No. 1, 31 (2014).
20. S. V. Gavrish, Prikl. Fiz., No. 4, 42 (2011).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Дирочка А. И., Чепурнов Е. Л., Егоров А. В. Фотоэлектроника. Век XXI (Обзор материалов Юбилейной XXV Международной научно-технической конференции и школы по фотоэлектронике и приборам ночного видения) 275
Моисеев А. М., Новиков П. Е. Сигнальные и шумовые характеристики элементов МФПУ формата 640512 SWIR-диапазона 283
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гончаров В. Е., Никонов А. В., Батмановская Н. С., Пашкеев Д. А., Кудряшов А. В. Физические пределы контроля электрофизических характеристик квантоворазмерных структур средствами электрохимического вольт-фарадного профилирования 290
Зиенко С. И. Определение происхождения алмазов по спектрам люминесценции 297
Неверов В. А. Особенности микро- и наноразмерных дефектов в кристаллах 4H-карбида кремния, выращенных методом высокотемпературной сублимации 307
Шабловский О. Н., Кроль Д. Г. Форма поверхности роста и предвестники ветвления дендрита в переохлажденном расплаве 316
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Бондаренко М. А., Бондаренко А. В. Формирование изображений в мультиспектральных видеосистемах для визуального и автоматического неразрушающего контроля 325
Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В. Импульсные газоразрядные источники ИК-излучения для оптико-электронных систем (обзор) 333
Патрашин А. И., Козлов К. В., Ковшов В. С., Никонов А. В., Стрельцов В. А. Метод установки заданной облученности от модели чёрного тела 349
Лисицкий А. П., Ильков В. К., Савельев Ю. Н. Система-на-кристалле со встроенными антеннами V-диапазона на гетероструктурах нитрида галлия 361
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 367
Уточнение от авторов 370
C O N T E N T S
PHOTOELECTRONICS
A. I. Dirochka, E. L. Chepurnov, and A. V. Egorov Photoelectronics. Century XXI (Review of the materials of the Jubilee 25th International Scientific and Technical Conference and schools on photoelectronics and night vision devices) 275
A. M. Moiseev and P. E. Novikov InGaAs 640512 SWIR camera pixels signal and noise characteristics 283
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
V. E. Goncharov, A. V. Nikonov, N. S. Batmanovskaya, D. A. Pashkeev, and A. V. Kudryashov Limitations of control of electrophysical characteristics of quantum-size structures by electrochemical capacitance-voltage profiling 290
S. I. Ziyenko Determination of the origin of diamonds from the luminescence spectra 297
V. A. Neverov Features of micro- and nanoscale defects in 4H-polytype silicon carbide crystals grown by high-temperature sublimation 307
O. N. Shablovsky and D. G. Kroll Shape of the growth surface and fore-runners of dendrite branching in undercooled melt 316
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
M. A. Bondarenko and A. V. Bondarenko Image forming in multispectral video systems for visual and automatic nondestructive testing 325
S. V. Gavrish, V. V. Loginov, and S. V. Puchnina Pulsed gas-discharge IR radiation sources for optical-electronic systems (a review) 333
A. I. Patrashin, K. V. Kozlov, V. S. Kovshov, A. V. Nikonov, and V. A. Streltsov The BB’s specified irradiation setting method 349
A. P. Lisitskii, V. K. Ilkov, and Yu. N. Saveliev GaN-based V-band system on crystal with integrated antennas 361
INFORMATION
Rules for authors 367
The message from authors 370
Другие статьи выпуска
Рассматривается задача объединения разноспектральных цифровых изображений, формируемых мультиспектральной видеосистемой для отображения на одном цветном дисплее при условии полного сохранения информации, содержащейся в видеоканалах. Предлагаемый способ комплексирования изображений основан на линейном отображении совокупного спектрального диапазона видеосистемы на видимый человеком диапазон, который кодируется в вычислительной системе линейным цветовым пространством. Указанный подход позволяет добиться высокой реалистичности восприятия получаемых изображений и удобства его визуальной и автоматической интерпретации. Показано, что для полного сохранения информации при комплексировании необходимо, чтобы мерность цветового пространства была не ниже числа видеоканалов. Полученные решения и алгоритмы внедрены в аппаратно-программное обеспечение трёхспектральной видеосистемы RT-700Combo разработки ООО «РАСТР ТЕХНОЛОДЖИ», которая прошла успешные лётные испытания во ФГУП «ГосНИИАС».
Изучен рост свободного дендрита в однокомпонентном переохлажденном расплаве. Учтено, что по мере увеличения переохлаждения усиливается роль локально-неравновесного теплопереноса, повышается степень нестационарности процессов на фазовой границе. Предметом исследования являются морфологические свойства фронта кристаллизации и возникновение боковых ветвей дендрита. Рассмотрен класс поверхностей роста, скорость перемещения которых есть физически содержательная функция локального угла наклона поверхности к оси дендрита. Математическим аналогом такого подхода является задача отыскания формы тел, которые подвергаются аэродинамическому нагреву и уносу массы с обтекаемой поверхности. Изучены два (неособый и особый) автомодельных режима эволюции поверхности роста. В неособом случае по мере заострения вершины сохраняется вид первоначального контура поперечного сечения; например, впадина сужается в направлении роста. Особое автомодельное решение дает в начальном состоянии вершину, которая расщеплена на четыре самостоятельные ветви; в течение конечного промежутка времени наблюдается слияние этих ветвей в одну точку – вершину дендрита. Прикладные аспекты данной работы связаны с методами высокоскоростного затвердевания расплава и получением материалов с улучшенными эксплуатационными свойствами.
В процессе роста монокристаллов карбида кремния формируется развитая система раз-личного рода дефектов, негативно влияющих на свойства полупроводникового материала. В кристаллах 4H-SiC, полученных на оборудовании компании PVA TePla (Германия), обнаружены характерные для микроразмерных дефектов статистически самоподобные поверхности раздела «поры-твердое тело» с фрактальными размерностями 2,20–2,60. Рентгеновское малоугловое рассеяние позволило зафиксировать структурные неоднородности в виде пор и их кластеров наномасштабного уровня. Построены функции распределения частиц по радиусам инерции и показано, что основная доля пор приходится на маломасштабные образования с радиусами инерции 25–30 Å. Поры и их кластеры формируют изогнутые цепочки с фрактальными размерностями 1,26–1,84. Структурные неоднородности масштаба 40–110 Å рассеивают рентгеновское излучение как шероховатые поверхности с фрактальными размерностями 2,31–2,95.
Выполнено комплексное исследование бриллиантов различного происхождения при комнатной температуре. Для натуральных бриллиантов и бриллиантов, облученных потоком электронов, получено уравнение характеристической функции в аналитическом виде, которая монотонно спадает во времени. Синтетические и облагороженные бриллианты имеют характеристические функции, которые могут быть получены только численным методом. Они содержат пульсации, амплитуда которых случайным образом меняется во времени. Форма их заметно отличается от кривых натуральных бриллиантов, что позволяет определить их происхождения.
Проведена разработка методики контроля распределения концентрации носителей заряда по профилю многослойных гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) с квантоворазмерной активной областью на основе гетеропары AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, средствами электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Разработана расчетная модель области пространственного заряда, формируемой на границе электролит–полупроводник. Проведен анализ ECV-профилей образцов гетеро-эпитаксиальных структур, выращенных на подложках GaAs <100>. Проведен расчет граничных значений глубины формируемой области пространственного заряда для различных концентраций носителей заряда в измеряемых слоях. Сделано заключение об ограниченности метода для контроля распределения концентрации носителей в квантоворазмерной области гетероэпитаксиальных структур.
Проведены сравнительные измерения нескольких однотипных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) SWIR-диапазона при различных режимах работы для определения характеристик и их разброса (сигнальные и шумовые характеристики, эквивалентная мощность шума, количество дефектных пикселей) и для выбора режима работы МФПУ в камере. Необходимые для этого данные в описаниях на МФПУ не приводятся. Выявлено хорошее совпадение средних характеристик всех МФПУ и значительный разброс пороговой эквивалентной мощности шума от количества дефектных пикселей для разных МФПУ. Рассмотрены преимущества и недостатки режимов: «низкого» и «высокого усиления», «с фильтром» и «без фильтра», при разной температуре МФПУ (изменяемой током термоэлектрического модуля Пельтье). Выявлено отсутствие зависимости шумовых характеристик от температуры МФПУ, измерены зависимости количества дефектных пикселей и темновых токов от температуры МФПУ. Предложено информативное, но лаконичное представление параметров МФПУ и камер при выборе МФПУ (или камер) для разрабатываемой системы при оценке качества конкретной МФПУ (или камеры) для комплектации изделий.
24–26 мая 2018 года состоялась Юбилейная XXV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Приведен краткий обзор представленных докладов.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400