ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Диффузные и объемные разряды в лазерах высокого давления с накачкой поперечным разрядом (обзор) (2019)

Читать

Читать онлайн

Проведено исследование условий формирования и свойств диффузных и объёмных разрядов, которые широко используются при высоких давлениях различных газов и их смесей для получения генерации в ВУФ, УФ, видимой и ИК-областях спектра. Установлено, что спектральные характеристики излучения объёмных и диффузных разрядов подобны. Показано, что отличие данных режимов разрядов связано с условиями их формирования. Диффузные разряды формируются за счёт быстрых и убегающих электронов, для генерации которых следует использовать один или оба электрода с малым радиусом кривизны. При получении объёмных разрядов необходимо осуществлять предыонизацию разрядного промежутка от дополнительного источника, а также обеспечивать однородное электрическое поле между электродами.

Consideration is given to formation of conditions and parameters of diffuse and volume dis-charges, which are widely used for generation in VUV, UV, visible and IR spectral ranges in different high pressure gases and gas mixtures. It was found that spectral parameters of volume and diffuse discharges are similar. The difference between these discharge modes is found to be associated with the conditions of their formation. The diffuse discharges are formed due to run-away electrons, for what one or both electrodes with a small radius of curvature are used. Whereas uniform electric field between electrodes along with additional preionization of the discharge gap are necessary for a volume discharge formation.

Ключевые фразы: диффузный и объемный разряды, однородное и неоднородное электрическое поле, предыонизация, стримеры, волны ионизации, быстрые и убегающие электроны

Автор (ы): Тарасенко Виктор Федотович, Панченко Алексей Николаевич, Белоплотов Дмитрий Викторович

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 537.527.9. Прочие виды разрядов в газах при повышенном давлении
621.373.8. Квантовые генераторы. Лазеры
eLIBRARY ID: 41751370

Для цитирования:

ТАРАСЕНКО В. Ф., ПАНЧЕНКО А. Н., БЕЛОПЛОТОВ Д. В. ДИФФУЗНЫЕ И ОБЪЕМНЫЕ РАЗРЯДЫ В ЛАЗЕРАХ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ С НАКАЧКОЙ ПОПЕРЕЧНЫМ РАЗРЯДОМ (ОБЗОР) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2019. ТОМ 7, №6

Текстовый фрагмент статьи

В работе проведено исследование условий формирования и параметров диффузных и объёмных разрядов высокого давления, которые широко используются для накачки в лазерах с поперечным разрядом. Показано, что основные отличия этих разрядов обусловлены механизмом эмиссии электронов с катода, механизмом зажигания разряда (перекрытием головок лавин или формированием широких стримеров), конструкцией электродов и распределением электрического поля в разрядном промежутке.

Объёмные разряды, как известно, обычно формируется за счёт начальных электронов, создаваемых в промежутке жёстким ионизатором (пучок электронов, рентгеновское или УФ-излучение) в электрическом поле, близком к однородному. При этом головки отдельных лавин перекрываются до образования цилиндрических стримеров малого диаметра. Эмиссия электронов с катода после формирования разряда осуществляется преимущественно за счёт ионов, ускоряемых в катодном слое. Объёмный разряд по своим свойствам соответствует аномальному тлеющему разряду. Формирование электродных пятен и распространение с них искровых лидеров приводит к контрагированию объёмных разрядов при увеличении давления и (или) длительности импульса напряжения, а также уменьшении межэлектродного зазора.

Диффузные разряды формируются в резко неоднородном электрическом поле при генерации быстрых и убегающих электронов за счёт широких стримеров, которые стартуют с электрода с малым радиусом кривизны и замыкают промежуток. В начальной стадии формирования разряда с катодом, имеющим малый радиус кривизны, ток в промежутке обусловлен автоэлектронной эмиссией, которая переходит во взрывную, и фотоэмиссией, а также динамическим ёмкостным током [22, 34]. При аноде с малым радиусом кривизны в начальной стадии формирования разряда проводимость промежутка определяется проводимостью плазмы катодонаправленных стримеров, а в остальной части промежутка динамическим ёмкостным током между головкой стримера и катодом. После замыкания промежутка стримерами эмиссия электронов с катода в основном осуществляется с отдельных электродных пятен, нагретых до высокой температуры и сравнительно равномерно распределённых по поверхности электродов. Диффузный разряд по своим свойствам отличается от аномального тлеющего разряда механизмом эмиссии электронов с катода.

Список литературы

1. Мак-Даниэль И., Ниген У. (ред.) Газовые лазе-ры. – М.: Мир, 1986.
2. Баранов В. Ю., Борисов В. М., Степанов Ю. Ю. Электроразрядные эксимерные лазеры на галогенидах инертных газов. – М.: Энергоатомиздат, 1988.
3. Mesyats G. A., Osipov V. V., Tarasenko V. F. Pulsed gas lasers. – Washington: SPIE Press, 1995.
4. Endo I., Walter R. F. Gas lasers. – New York: CRC Press, Taylor and Francis Group, 2007.
5. Месяц Г. А., Бычков Ю. И., Искольдский А. М. // ЖТФ. 1968. Т. 38. № 8. С. 1281.
6. Ковальчук Б. М., Кремнев В. В., Месяц Г. А. // ДАН СССР. 1970. Т. 191. № 1. С. 76.
7. Басов Н. Г., Беленов Э. М., Данилычев В. А., Сучков А. Ф. // Квантовая электроника. 1971. № 3. С. 121.
8. Fenstenmaher C. A., Hufter M. I., Rink I. P., Boyer K. // Bull. Amer. Phys. Soc. 1971. Vol. 16. No. 1. Р. 42.
9. Cason C., Dezenberg G. J., Huff R. J. // Applied Physics Letters. 1973. Vol. 23. No. 2. P. 110.
10. Басов Н. Г., Данилычев В. А., Ионин А. А., Ковш И. Б., Соболев В. А., Сучков А. Ф., Урин Б. М. // Квантовая электроника. 1974. T. 1. № 11. С. 2529.
11. Дацкевич Н. П., Карлова Е. К., Карлов Н. В., Ковальчук Б. М., Конев Ю. Б., Кононов Н. Н., Кочетов И. В., Кузьмин Г. П., Месяц Г. А., Никифоров С. М., Певгов В. Г., Прохоров А. М. // Квантовая электроника. 1977. Т. 4. № 3. С. 457.
12. Аполлонов В. В., Бункин В. Ф., Бычков Ю. И., Коновалов И. Н., Лосев В. Ф., Месяц Г. А., Прохоров А. М., Тарасенко В. Ф., Фирсов К. Н. // Квантовая электроника. 1981. Т. 8. № 6. С. 1331.
13. Dumanchin R., Rocca-Serra J. // C. R. Acad. Sci. (Paris). 1969. Vol. 269B. P. 916.
14. Judd O. P. // Applied Physics Letters. 1973. Vol. 22. No. 3. P. 95.
15. Хомич В. Ю., Ямщиков В. А. // Прикладная физика. 2010. № 6. С. 77.
16. Буранов С. Н., Горохов В. В., Карелин В. И., Павловский А. И., Репин П. Б. // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. № 7. С. 891.
17. Palmer A. I. // Applied Physics Letters. 1974. Vol. 25. No. 3. P. 138.
18. Бабич Л. П., Лойко Т. В., Цукерман В. А. // Успехи физических наук. 1990. T. 160. № 7. С. 49.
19. Babich L. P. High-Energy Phenomena in Electric Discharges in Dense Gases: Theory, Experiment and Natu-ral Phenomena. – Arlington, VA: Futurepast, 2003.
20. Тарасенко В. Ф., Яковленко С. И. // Успехи физических наук. 2004. Т. 174. № 9. С. 953.
21. Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Бураченко А. Г., Ломаев М. И. // Прикладная физика. 2016. № 4. С. 49.
22. Белоплотов Д. В., Тарасенко В. Ф., Сорокин Д. А., Ломаев М. И. // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2017. Т. 106. № 10. С. 627.
23. Kunhardt E. E., Byszewski W. W. // Physical Review A. 1980. Vol. 21. No. 6. P. 2069.
24. Тарасенко В. Ф., Найдис Г. В., Белоплотов Д. В., Костыря И. Д., Бабаева Н. Ю. // Физика плазмы. 2018. T. 44. № 8. С. 652.
25. Алексеев С. Б., Орловский В. М., Тарасенко В. Ф. // Квантовая электроника. 2003. Т. 33. № 11. С. 1059.
26. Noggle R. C., Krider E. P., Wayland J. R. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. No. 10. P. 4746.
27. Тарасова Л. В., Худякова Л. Н. // ЖТФ. 1969. T. 39. № 8. С. 1530.
28. Beaulieu A. J. // Applied Physics Letters. 1970. Vol. 16. No. 12. P. 504.
29. Костыря И. Д., Тарасенко В. Ф. // Известия вузов. Физика. 2004. T. 47. № 12. С. 85.
30. Панченко А. Н., Тарасенко В. Ф., Панченко Н. А. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60. № 8. С. 36.
31. Panchenko A. N., Tarasenko V. F., Beloplotov D. V., Panchenko N. A., Lomaev M. I. // High voltage. 2018. Vol. 3. No. 4. P. 316.
32. Panchenko A. N., Tarasenko V. F., Lomaev M. I., Panchenko N. A., Suslov A. I. // Optics Communications. 2019. Vol. 430. P. 210.
33. Бакшт Е. Х., Бураченко А. Г., Ломаев М. И., Панченко А. Н., Тарасенко В. Ф. // Квантовая электроника. 2015.T. 45. № 4. С. 366.
34. Sorokin D. A., Tarasenko V. F., Beloplotov D. V., Lomaev M. I. // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 125. No. 14. 143301.
35. Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Ломаев М. И., Рыбка Д. В., Сорокин Д. А. // Журнал технической физики. 2013. T. 83. № 8. С. 29.
36. Вильтовский П. О., Ломаев М. И., Панченко А. Н., Панченко Н. А., Рыбка Д. В., Тарасенко В. Ф. // Квантовая электроника. 2013. Т. 43. № 7. С. 605.
37. Бакшт Е. Х., Панченко А. Н., Тарасенко В. Ф. // Квантовая электроника. 2000. Т. 30. № 6. С. 506.
38. Панченко А. Н., Тарасенко В. Ф., Тельминов А. Е. // Квантовая электроника. 2007. Т. 37. № 1. С. 103.
39. Козырев А. В., Панченко А. Н., Тарасенко В. Ф., Тельминов А. Е. // Квантовая электроника. 2008. Т. 38. № 8. С. 731.
40. Тарасенко В. Ф. (ред.) Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул. – Томск: STT, 2014.
41. Месяц Г. А., Тарасенко В. Ф. // Квантовая электроника. 2003. Т. 33. № 7. С. 568.

1. E. W. McDaniel William L. Nighan, Gas Lasers (Academic Press, 1982).
2. V. Yu. Baranov, V. M. Borisov, and Yu. Yu. Stepanov, Electrodischarge excimer lasers on rare gas halides. (M.: Energoanomizdat, 1988) [in Russian].
3. G. A. Mesyats, V. V. Osipov, and V. F. Tarasenko, Pulsed gas lasers (Washington: SPIE Press, 1995).
4. I. Endo and R. F. Walter, Gas lasers (New York: CRC Press, Taylor and Francis Group, 2007).
5. G. A. Mesyats, Yu. I. Bychkov, and A. M. Iskol’dskii, Sov. Phys. Tech. Phys. 13, 1051 (1969).
6. B. M. Koval’chuk, V. V. Kremnev, and G. A. Mesyats, Sov. Phys. Dokl. 15, 267 (1970).
7. N. G. Basov, É. M. Belenov, V. A. Danilychev, and A. F. Suchkov, Soviet Journal of Quantum Electronics 1, 306 (1971). https://doi.org/10.1070%2FQE1971v001n03ABEH003111
8. C. A. Fenstenmaher, M. I. Hufter, I. P. Rink, and K. Boyer, Bull. Amer. Phys. Soc. No. 16, 42. (1971).
9. C. Cason, G. J. Dezenberg, and R. J. Huff, Applied Physics Letters 23, 110 (1973).
10. N. G. Basov, V. A. Danilychev, A. A. Ionin, I. B. Kovsh, V. A. Sobolev, A. F. Suchkov, and B. M. Urin, Soviet Journal of Quantum Electronics 4, 1414 (1975).
11. N. P. Datskevich, E. K. Karlova, N. V. Karlov, B. M. Koval’chuk, Yu. B. Konev, N. N. Kononov, I. V. Kochetov, G. P. Kuz’min, G. A. Mesyats, S. M. Nikiforov, V. G. Pevgov, and A. M. Prokhorov, Soviet Journal of Quantum Electronics 7, 258 (1977).
12. V. V. Apollonov, F. V. Bunkin, Yu. I. Bychkov, I. N. Konovalov, V. F. Losev, G. A. Mesyats, A. M. Prokhorov, V. F. Tarasenko, and K. N. Firsov, Soviet Journal of Quantum Electronics 11, 798 (1981).
13. R. Dumanchin and J. Rocca-Serra, C.R. Acad. Sci. (Paris) 269B, 916 (1969).
14. O. P. Judd, Applied Physics Letters 22, 95 (1973).
15. V. Yu. Khomich, and V. A. Yamschikov, Plasma Physics Reports 37, 1145 (2011).
16. S. N. Buranov, V. V. Gorokhov, V. I. Karelin, A. I. Pavlovskii, and P. B. Repin, Soviet Journal of Quantum Electronics 21, 806 (1991).
17. A. I. Palmer, Applied Physics Letters 25, 138 (1974).
18. L. P. Babich, T. V. Loiko, and V. A. Tsukerman, Sov. Phys. Usp. 33, 521 (1990).
19. L. P. Babich, High-Energy Phenomena in Elec-tric Discharges in Dense Gases: Theory, Experiment and Natural Phenomena. (Arlington, VA: Futurepast, 2003).
20. V. F. Tarasenko and S. I. Yakovlenko, Phys. Usp. 47, 887 (2004).
21. V. F. Tarasenko, E. Kh. Baksht, A. G. Burachenko, and M. I. Lomaev, Plasma Physics Reports 43, 792 (2017).
22. D. V. Beloplotov, V. F. Tarasenko, D. A. Sorokin, and M. I. Lomaev, JETP Letters 106, 653 (2017).
23. E. E. Kunhardt and W. W. Byszewski, Physical Review A. 21, 2069 (1980).
24. V. F. Tarasenko, G. V. Naidis, D. V. Beloplotov, I. D. Kostyrya, and N. Yu. Babaeva, Plasma Physics Reports. 44, 746 (2018).
25. S. B. Alekseev, V. M. Orlovskii and V. F. Tarasenko, Quantum Electronics 33, 1059 (2003).
26. R. C. Noggle, E. P. Krider, and J. R. Wayland, Journal of Applied Physics 39, 4746 (1968).
27. L. V. Tarasova and L. N. Khudyakova, Soviet Physics. Technical Physics 14, 1148 (1970).
28. A. J. Beaulieu, Applied Physics Letters 16, 504 (1970).
29. I. D. Kostuyria and V. F. Tarasenko, Russian Physics Journal 47, 1314 (2004).
30. A. N. Panchenko, V. F. Tarasenko, and N. A. Panchenko, Russian Physics Journal 60, 1303 (2017).
31. A. N. Panchenko, V. F. Tarasenko, D. V. Beloplotov, N. A. Panchenko, and M. I. Lomaev, High voltage 3, 316 (2018).
32. A. N. Panchenko, V. F. Tarasenko, M. I. Lomaev, N. A. Panchenko, and A. I. Suslov, Optics Communications 430, 210 (2019).
33. E. Kh. Baksht, A. G. Burachenko, M. I. Lomaev, A. N. Panchenko, and V. F. Tarasenko, Quantum Electronics 45, 366 (2015).
34. D. A. Sorokin, V. F. Tarasenko, D. V. Beloplotov, and M. I. Lomaev, Journal of Applied Physics. 125, 143301 (2019).
35. V. F. Tarasenko, E. Kh. Baksht, M. I. Lomaev, D. V. Rybka, and D. A. Sorokin, Technical Physics 58, 1115 (2013).
36. P. O. Vil’tovskii, M. I. Lomaev, A. N. Panchenko, N. A. Panchenko, D. V. Rybka, and V. F. Tarasenko, Quantum Electronics 43, 605 (2013).
37. E. Kh. Baksht, A. N. Panchenko, and V. F. Tarasenko, Quantum Electronics 30, 506 (2000).
38. A. N. Panchenko, V. F. Tarasenko and A. E. Tel’-minov, Quantum Electronics 37, 103 (2007).
39. A. V. Kozyrev, A. N. Panchenko, V. F. Tarasenko, and A. E. Tel’minov, Quantum Electronics 38, 731 (2008).
40. Pulsed gas lasers on transitions of atoms and molecules. Ed. by V. F. Tarasenko (Tomsk, STT, 2014) [in Russian].
41. G. A. Mesyats and V. F. Tarasenko, Quantum Electronics 33, 568 (2003).

Выпуск

Том 7, №6 (2019)

Кол-во страниц: 96 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Тарасенко В. Ф., Панченко А. Н., Белоплотов Д. В. Диффузные и объемные разряды в лазерах высокого давления с накачкой поперечным разрядом (обзор) 535

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Бурлаков И. Д., Кульчицкий Н. А., Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Горн Д. И. Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фото-приемных устройств ИК-диапазона (обзор) 547
Якимов Ю. А., Мощев И. С., Диденко С. И. Учет заряда поверхностных состояний в компактной модели МОП-транзистора для БИС считывания охлаждаемых фотоприемных устройств 560
Давлетшин Р. В., Никонов А. В., Ковшов В. С., Залетаев Н. Б. Модель для расчета коэффициента пропускания эпитаксиальных слоев соединений А3В5 571

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Мазалов А. Б., Шматов Д. П., Пустовалов А. С., Кишов Е. А., Морозов И. И. Исследование деформированного состояния деталей, изготовленных методом селективного лазерного спекания из жаропрочного никелевого сплава 578
Зиенко С. И. Динамика решетки в фононном крыле спектра люминесценции алмаза 586

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Воронов К. Е., Телегин А. М., Цзян Лисян, Цзяо Цзилун Научная аппаратура для исследования высокоскоростных микрочастиц (обзор) 594
Малышев И. В., Николаев Е. В. Частотная селекция в проводящих линиях с использованием каскадных соединений кольцевых концентрических разрезных резонансных структур 601
Тумашевич К. А., Киреев С. Г., Шашковский С. Г., Пугачев Д. Ю. Импульсная лампа с ограничивающей разряд системой из кварцевой и сапфировой оболочек 608

ИНФОРМАЦИЯ

Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2019 г. 614
Перечень статей, переведенных и опубликованных в англоязычных журналах в 2019 г. 618
XLVII Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 620
IX научно-практическая конференция молодых ученых и специалистов «Фотосенсорика: новые материалы, технологии, приборы, производство» 622
Правила для авторов 623

C O N T E N T S

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

V. F. Tarasenko, A. N. Panchenko, and D. V. Beloplotov Diffuse and volume discharges in high pressure gas lasers pumped by transverse dis-charge (a review) 535

PHOTOELECTRONICS

I. D. Burlakov, N. A. Kulchitsky, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, and D. I. Gorn Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (a review) 547
Yu. A. Yakimov, I. S. Moshchev, and S. I. Didenko Compact modeling of interface trap states in MOS transistors for low temperature readout integrated circuits 560
R. V. Davletshin, A. V. Nikonov, V. S. Kovshov, and N. B. Zaletaev Transmission model of the A3B5 epitaxial layers 571

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

A. B. Mazalov, D. P. Shmatov, A. S. Pustovalov, E. A. Kishov, and I. I. Morozov Numerical-experimental investigation of the deformed state of parts after their manufac-ture by selective laser sintering from a heat-resistant nickel-based alloy 578
S. I. Zienko Lattice dynamics in the phonon wing of the diamond luminescence spectrum 586

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

K. E. Voronov, A. M. Telegin, Jiang Lixiang, and Jiao Jilong Scientific equipment for the study of high-speed microparticles (a review) 594
I. V. Malyshev and E. V. Nikolaev Frequency selection in conducting lines using cascade connections of circular concentric split resonant structures 601
K. A. Tumashevich, S. G. Kireev, S. G. Shashkovskiy, and D. U. Pugachev Flash lamp with a discharge limiting by the system of quartz and sapphire envelopes 608

INFORMATION

The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2019 614
The list of articles translated and published in English language journals in 2019 618
XLVII International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermo-nuclear Fusion 620
IX Theoretical and Practical Conference of Young Scientists and Specialists “Photosen-sorics: New Materials, Technologies, Devices, and Production” 622
Rules for authors 623

Другие статьи выпуска

Частотная селекция в проводящих линиях с использованием каскадных соединений кольцевых концентрических разрезных резонансных структур (2019)

Авторы: Малышев Игорь Владимирович, Николаев Евгений Вадимович

В данной работе приведены результаты исследований, проведённых на базе электромагнитного анализа проводящих структур. Показано, что во внутреннем пространстве планарной структуры двойного кольцевого разрезного резонатора так-же возможно размещение элементов топологии пассивных элементов СВЧ или КВЧ, имеющих резонансные частоты, превышающие рабочий диапазон базовой структуры основного резонатора. Эта возможность позволяет использовать для формирования во внутреннем пространстве основного двойного кольцевого разрезного резонатора иных резонансных структур или элементов микрополоскового тракта, что актуально при необходимости плотной компоновки элементов модуля или для случая размещения резонансного включения во внутренних слоях многослойной печатной платы.

Сохранить в закладках

Научная аппаратура для исследования высокоскоростных микрочастиц (обзор) (2019)

Авторы: Воронов Константин Евгеньевич, Телегин Алексей Михайлович, Цзян Лисян, Цзяо Цзилун

Описана конструкция научной аппаратуры для регистрации высокоскоростных микрочастиц (микрометеороидов и частиц космического мусора) ионизационного типа. Приведено описание оригинальной конструкции электродов для сбора ионов в датчиках высокоскоростных микрочастиц ионизационного типа. Приведены результаты испытаний научной аппаратуры на ускорители высокоскоростных микрочастиц с оптическим каналом синхронизации для устранения ложного срабатывания цифрового компаратора от помех, вызванных схемами управления ускорителя.

Сохранить в закладках

Динамика решетки в фононном крыле спектра люминесценции алмаза (2019)

Авторы: Зиенко Станислав Иванович

Предложена модель динамики электрон-фононного взаимодействия в алмазе в виде апериодического звена второго порядка. Одно звено характеризует свойства оптических электронов, а другое – свойство решетки. Для определения инерционных параметров решетки находили групповое время задержки синусоидального сигнала в алмазной среде при комнатной температуре. Природные и искусственные алмазы по величине времени задержки образуют две независимые популяции, которые не пересекаются между собой. Данное явление может найти применения для идентификации ограненных алмазов (бриллиантов).

Сохранить в закладках

Исследование деформированного состояния деталей, изготовленных методом селективного лазерного спекания из жаропрочного никелевого сплава (2019)

Авторы: Мазалов Алексей Борисович, Шматов Дмитрий Павлович, Пустовалов Алексей Сергеевич, Кишов Евгений Алексеевич, Морозов Илья Игоревич

В работе проведено качественное и количественное сравнение отклонения формы образцов, изготовленных методом SLM (Selective Laser Melting – селективное лазерное сплавление), измеренного при помощи 3D-сканирования и рассчитанного на основе конечно-элементного моделирования в системе ANSYS Additive. Исследование проведено на примере трёх образцов из жаропрочного сплава на никелевой основе 08ХН53БМТЮ – российского аналога Inconel 718. Оценка перемещений осуществлялась как на платформе построения после выращивания, так и после отделения от неё. Сопоставление экспериментальных и расчётных данных перемещений контрольных точек образцов показало достаточную для практических целей точность расчетной модели, построенной на базе технологий компьютерного моделирования ANSYS Additive.

Сохранить в закладках

Модель для расчета коэффициента пропускания эпитаксиальных слоев соединений А3В5 (2019)

Авторы: Давлетшин Ренат Валиевич, Никонов Антон Викторович, Ковшов Владимир Сергеевич , Залетаев Николай Борисович

Разработана математическая модель расчета зависимости коэффициента про-пускания эпитаксиальных слоев AlGaAs различного состава, входящих в состав многослойных гетероэпитаксиальных структур с квантоворазмерной активной областью, от длины волны излучения. Модель адаптирована под экспериментальные структуры с одним слоем AlGaAs, выращенным методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке арсенида галлия. Под слои заданного состава подобрана и оптимизирована модель диэлектрической проницаемости, основанная на анализе энергетических переходов в зоне Бриллюэна соединений со структурой цинковой обманки с учетом непрямых переходов в зону проводимости. Проведенное исследование используется для оптимизации параметров эпитаксиального выращивания структур с целью уточнения характеристик матрицы фоточувствительных эле-ментов ИК-диапазона.

Сохранить в закладках

Учет заряда поверхностных состояний в компактной модели МОП-транзистора для БИС считывания охлаждаемых фотоприемных устройств (2019)

Авторы: Якимов Юрий Александрович, Мощев Иван Сергеевич, Диденко Сергей Иванович

В работе представлена компактная модель МОП-транзистора для криогенных температур на основе линеаризации инверсионного заряда. В базовую электростатику ядра модели включено влияние заряда поверхностных состояний с экспоненциальным энергетическим распределением, зависящего от напряжения. Выведены уравнения для тока канала и полных зарядов для квазистатической динамической модели через инверсионный заряд. Точность модели была подтверждена с помощью приборно-технологического моделирования в TCAD.

Сохранить в закладках

Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона (обзор) (2019)

Авторы: Бурлаков Игорь Дмитриевич, Кульчицкий Николай Александрович, Войцеховский Александр Васильевич, Несмелов Сергей Николаевич, Дзядух Станислав Михайлович, Горн Дмитрий Игоревич

В работе проанализировано современное состояние исследований в области создания униполярных полупроводниковых барьерных структур на основе различных материалов для инфракрасных матричных фотоприемных устройств (МФПУ), позволяющих снизить с темновые токи и тем самым улучшить пороговые характеристики и обеспечить работу при повышенных температурах охлаждения. Рассмотрены основные пути минимизации барьера для дырок в валентной зоне на примере фоточувствительной структуры на основе КРТ n-типа проводимости. Показано, что барьерные структуры nBn-типа представляют собой альтернативу для создания матриц фотодиодных чувствительных элементов для МФПУ среднего и дальнего ИК-диапазона.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.