Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и неоднородным по толщине распределением концентрации донорной примеси в приповерхностном слое полупроводника. Показано, что неоднородное распределение концентрации электронов существенно влияет на вид ВФХ МДП-структуры на основе n-HgCdTe с приповерхностным варизонным слоем, что может искажать результаты определения спектра поверхностных состояний. Значение емкости в минимуме низкочастотной ВФХ определяется концентрацией электронов на границе области пространственного заряда с квазинейтральным объемом. Установлено, что при определении концентрационных профилей по наклону C -2(V)-зависимости в режиме обеднения надо учитывать наличие приповерхностных варизонных слоев, которые влияют на граничные значения диапазона определения концентрации. Полученные результаты качественно согласуются с экспериментальными данными.
It is shown that the inhomogeneous distribution of electron concentration has a significant effect on the shape of the capacitance-voltage characteristics of a MIS structure based on n-HgCdTe with a near-surface graded-gap layer, which can distort the results of determining the spectrum of surface states. The capacitance in the minimum of the low-frequency capacitance-voltage curve is determined by the electron concentration at the boundary of the space-charge region. When determining the concentration profiles from the slope of the C -2(V) dependence in the depletion mode, one should take into account the presence of near-surface graded-gap layers that affect the boundaries of the range of determination of concentration. The obtained results agree qualitatively with the experimental data.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 35193303
